降低半导体金属线电阻的沉积和刻蚀技术
使用SEMulator3D®可视性沉积和刻蚀功能研究金属线制造工艺，实现电阻的大幅降低
SEMulator3D
使用大面积分析提升半导体制造的良率
大面积分析技术可以预防、探测和修复热点，从而将系统性、随机性和参数缺陷数量降至最低，并最终提高良率
使用SEMulator3D进行虚拟工艺故障排除和研究
SEMulator3D 工艺建模在开发早期识别工艺和设计问题，减少了开发延迟、晶圆制造成本和上市时间
为刻蚀终点探测进行原位测量
使用SEMulator3D®工艺步骤进行刻蚀终点探测
干货 | 使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺
SEMulator3D®虚拟制造平台可以展示下一代半大马士革工艺流程，并使用新掩膜版研究后段器件集成的工艺假设和挑战
3D DRAM时代即将到来，泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构
SEMulator3D将在半导体器件设计和制造中发挥重要作用
干货 | 加速特征相关(FD)干法刻蚀的工艺发展
在本文中，我们将论述如何通过在SEMulator3D®中使用可视性刻蚀建模来弥补干法刻蚀这一方面的不足。
微结构不均匀性（负载效应）及其对器件性能的影响：对先进DRAM工艺中有源区形状扭曲的研究
在DRAM结构中，电容存储单元的充放电过程直接受晶体管所控制。随着晶体管尺寸缩小接近物理极限，制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而对于先进的DRAM，晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。在本研究中，我们将为大家呈现，如何利用SEMulator3D研究先进DRAM工艺中存在的AA形状扭曲和与之相关的微负载效应与制造变量。