东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，最新开发出一款用于车载牵引逆变器的裸片1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其创新的结构可实现低导通电阻和高可靠性。X5M007E120现已开始提供测试样品，供客户评估。
东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，最新开发出一款用于车载牵引逆变器的裸片1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其创新的结构可实现低导通电阻和高可靠性。X5M007E120现已开始提供测试样品，供客户评估。