【原创】西部数据:以“双新驱动”推动存储产业进入良性增长

作者:电子创新网张国斌

时至2023年年末,始于2022年下半年的全球性半导体衰退至今还未大规模复苏,这其中尤其以存储产业为甚,作为产业复苏的晴雨表,存储产业如何扭转颓势,成为引领数字产业的先锋?在近日召开的2024存储产业趋势峰会上,西部数据公司产品营销总监张丹发表以“重振市场信心,存储产业将迈向良性增长”为主题的演讲,对Flash市场、经济和技术进行了全方位的分析,她认为可以以“双新驱动”推动存储产业进入良性增长势态。

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西部数据公司产品营销总监 张丹

一、存储行业健康良性需要新技术和新市场再塑平衡

回溯存储行业的发展,存储行业周期性受到了“双新”驱动带来的影响。一是新技术。新技术带来更多比特的输出,同时降低单比特的成本。在某一时间段,输出会大于产业需求,行业曲线会下降,出现供过于求、产品价格下跌的情况。二是新市场。新市场会采用或者吸收掉新制程带来的新产能,甚至在某一些应用场景里,新产能甚至不足以支撑新市场,这就会出现短期价格的上升,出现供不应求的情况。因此,行业周期上升的点,大都发生在某一个应用场景在爆量增长或者应用场景激增的年份。

“存储行业健康良性的发展就是再塑平衡,整个过程是以新技术为代表的供应端和新市场为代表的需求端达到或者再次达到动态平衡。”她强调,“NAND每一年的比特输出都会持续增长,未来长时间周期里面,我们可能还会遵循行业的周期,慢慢地回到相对平衡的水平里。”

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二、存储行业需要不断创新

根据IDC数据,到今年为止,全球的边端云共同生成的数据已经达到了123ZB;同时,随着大量的AI技术成熟,预计在未来的2-3年生成式AI会进入很多行业进行试用,数据生成数据本身也会加速数据的增长。大量的数据增长需要大量的存储让数据落地。根据Gartner数据,预计在2024年-2025年之间,Flash存储行业会达到1ZB的水平。市场仍然会持续增长,预计到2026年会增长到一个接近甚至超过1.5ZB的水平。

张丹表示,作为持续创新的行业,西部数据一直在提双新引擎——新技术和新市场,这两个都离不开行业的创新,所以创新永无止境,也是Flash技术发展的一个方向。

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她以西部数据今年发布的最新一代的3D制程的产品——BiCS8为例来说明存储创新优势,该产品是第八代3D制程产品,能够达到218层数,这个是水平扩容和垂直扩容结合的结果,西部数据可以在218层数上达到相对优化的单位比特容量。另外,西部数据也在这个产品里第一次引入了CBA技术,相当于存储单元和周边电路是分开生产的,然后再进行晶圆对晶圆的键合。

西部数据在四个维度全面地进行产品的优化,不但做垂直扩容,还会做水平扩容,也会对产品进行结构化优化,引入CBA技术。相比于上一代产品,这一代产品将位密度提高了约50%,其NAND I/O速度超过 3.2Gb/s,比上一代产品提高了约60%,同时写入性能和读取延迟方面改善了约20%。

BiCS8是第一代采用CBA技术的产品,周边电路和存储单元是分开两个Wafer(晶圆)的。从扫描图可以看到晶圆对晶圆的键合水平和键合精度已经非常高了,BiCS8今年已经面世,明年会进行大规模的量产。

她还表示 ,提到新技术很多人想到的是制程新技术,其实存储创新无处不在,在整个NAND Flash的生产过程中,生产流程的先进性也是可以创新的例如西部数据把机器学习、大数据分析和自动化等先进技术引入到生产线中,造就了灯塔工厂项目。西部数据位于上海的先进闪存产品封装测试工厂入选了世界经济论坛全球灯塔工厂网络,并成为了中国第一家‘可持续发展灯塔工厂’。

三、西部数据丰富创新的闪存解决方案,赋能多领域数字化发展

作为数据存储领域具有悠久历史和丰富经验的公司,西部数据在NAND闪存领域拥有创新技术、产能优势和纵向集成能力,并且具备强大的垂直整合能力。西部数据开发、制造并销售的内容囊括了从NAND、固态硬盘和平台在内的一系列品类,提供数据平台、连接平台、技术产品等丰富的产品组合,并在企业级SSD领域拥有三大核心技术优势,即集完全自主的NAND Flash、先进的SSD控制器和高性能固件于一体,这种纵向集成的能力能够让SSD实现性能和稳定性的极致优化,确保SSD生命周期稳定的I/O一致性,满足企业基础架构建设对于安全可靠、敏捷稳定、高效智能等多维度需求。

凭借着对市场的洞察和对客户需求的理解,结合先进的技术优势,西部数据公司提供了从云数据中心、汽车、到IoT等领域丰富的产品组合,满足新兴技术与应用带来的存储需求,助力每位用户发掘数据洞察、释放数据潜力。

西部数据Ultrastar DC SN655是一款垂直集成的SSD,提供了简单且可扩展的单端口或双端口路径,确保满足企业高可用性要求下的持续数据访问。容量从3.84TB扩展到15.36TB,可满足存储和混合工作负载计算应用的要求,并将SSD的可靠性提高到250万小时的平均故障间隔时间(预计)。此外,SN655还为大型非结构化工作负载提供了超过100万的最大随机读取IOPs和更高的服务质量 (Qos) 。SN655采用嵌入式U.3 15mm外形尺寸,并向下兼容U.2。SN655还提供了更多企业级功能,如电源故障保护和端到端数据路径保护,以确保在必要时的数据可用性。

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西部数据Ultrastar DC SN655 NVMe SSD

西部数据Ultrastar DC SN650 NVMe SSD采用BiCS5 3D TLC NAND和PCIe 4.0接口,通过增加单位SSD的虚拟化主机数量以及整合更大的数据集来提高存储资源利用率,容量高达15.36TB。同时,SN650可以用于大数据分析和AI/ML的数据集,缩短时延并提高数据吞吐量,从而实现更快的洞察和实时分析。更轻薄的E1.L规格尺寸增加了机架存储密度,在降低TCO的同时提高了存储的可管理性、可维护性和效率。DC SN650 NVMe SSD E1.L符合OCP云规范1.0a。

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西部数据Ultrastar DC SN650 NVMe SSD 

还有一款是全新的西部数据车规级iNAND AT EU552 UFS 3.1嵌入式闪存盘,其配备了3D NAND技术,专为满足驾驶舱解决方案和自动驾驶的恶劣环境与严苛需求而设计。其采用112层3D NAND闪存技术,顺序读取速度高达1,600MB/s,顺序写入速度高达1,200MB/s,适用于eCockpit, ADAS与自动驾驶解决方案。同时,该产品还拥有先进的内存管理固件功能,包含强大的ECC、读取刷新、磨损平衡和坏块管理功能,并具备汽车特定功能集,包括先进的健康状况监测,增强型意外掉电保护、快速启动、增强型SLC LUN。

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西部数据UFS 3.1解决方案iNAND AT EU552 

存储产业的产值占据全球半导体市场的1/3以上,是全球半导体发展的排头兵,存储产业率先走出良性发展将对全球半导体助力良多,西部数据的“双新驱动”理论是多年来实践的总结,也对其他行业有指导意义,“阳光总在风雨后”2024年,我们将迎来全球半导体产业的复苏,在新技术和新市场的推动下,产业会迎来新一轮的增长,现在我们需要的就是像西部数据一样,持续不断地创新创新!以创新引爆新一轮增长!(完)

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