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AI算力需求井喷之下,高速光芯片正成为制约数据中心升级的卡脖子环节。近日,三安光电旗下光通信业务在三大领域同步取得突破,国产高端光芯片迎来关键破局者。

当前,光通信行业正经历一场由AI驱动的超级成长周期。随着全球数据中心向800G/1.6T高速迭代,作为光模块"心脏"的高速光芯片,其性能直接决定了传输速率与功耗表现。然而,这一市场长期由美国Coherent、Lumentum和日本三菱电机、住友电工等巨头主导,国产化率不足5%,供需缺口持续扩大。

三安此次宣布,在高速光芯片、海外市场拓展、车载光通信三大领域同步取得突破:100G EML芯片正式推出、CW光源产品通过海外头部客户认证、宽温VCSEL & PD与产业链下游头部企业初步达成战略合作。

100G EML芯片可适配800G主流光模块方案,实现了从设计到制造的全流程自主化,为下一代AI算力网络提供了关键器件的国产化选项。CW光源产品叩开海外市场大门,覆盖70mW/100mW主流功率规格,可适配400G至1.6T高速光模块需求,标志着三安高端光芯片已具备与国际厂商同台竞争的能力。

在汽车智能化浪潮下,自动驾驶对带宽、时延、可靠性要求急剧提升,传统铜缆架构已难以支撑。三安切入车载光通信赛道,已研发出满足车载严苛环境要求的车规级光芯片,并与产业链下游头部企业达成战略合作,共同推进产业化落地。

依托垂直整合制造能力,三安数据中心应用的高速PD已实现批量出货,100G EML、CW光源及车载光芯片均已具备规模化交付能力。

从行业趋势看,随着AI算力需求持续爆发和汽车智能化加速渗透,光芯片的战略地位正被推向前所未有的高度。三安此次突破,意味着其光通信业务已从"布局期"进入"收获期",为国产高端光芯片从替代向引领升级提供了有力注脚。

稿源:美通社

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产品介绍

Holtek持续优化提升产品发展,新推出BH67F2493阻抗与电化学Flash MCU,具备高度集成、高精准度、低噪声等特点,相较于前代BH67F2476,最低工作电压降低至1.8V,并提高程序ROM / EEPROM储存容量,适用于血糖仪、二合一血糖血压机、血红素测试仪等产品。

BH67F2493集成相角及电化学测量AFE电路,由硬件直接测量交流阻抗、相角及各种电化学生理参数,并可通过软件调整放大倍率及各种参数;24-bit A/D提供高精准度测量功能,实现血糖等测量应用;内建显示驱动电路可直推LCD面板,具稳压与低功耗特点;支持多种数字输出接口,包含I²C、SPI与UART。

系统资源包含64K×16 Flash ROM、3072×8 RAM,另外内建8192×8 EEPROM,除了方便储存大量的测量数据,也容易实现产品调校/标定的功能。BH67F2493提供64-pin LQFP与80-pin LQFP两种封装,系列性引脚兼容。

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来源:合泰单片机

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202641日,锋坦Frontier Pro首批车辆出海发车仪式隆重举行。日产全球执委会委员兼中国区主席、东风汽车有限公司总裁马智欣,日产(中国)投资有限公司总经理刘新宇,东风汽车有限公司副总裁市川敦,东风汽车有限公司副总裁马磊等嘉宾出席活动现场,共同见证这一里程碑时刻。此举不仅是郑州日产国际化战略的正式启航,更标志着日产汽车“在中国、为中国、向全球”战略进入全新阶段,以中国研发与智造能力赋能全球市场。

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锋坦Frontier Pro首批车辆出海发车仪式

作为首款由日产汽车在华团队主导设计、研发、生产,并面向全球市场的皮卡车型,依托日产LCV研发中心的技术实力,锋坦Frontier Pro历经一年多海外市场专属开发与严苛验证,完全具备海外市场专属适配能力。在日产汽车全球最严格的品控体系下,这款车型实现了“以中国研发定义全球标准,以中国智造满足全球需求”的能力跃升。

日产全球执委会委员兼中国区主席、东风汽车有限公司总裁马智欣在活动中表示:“我们将依托日产的全球品控及服务网络,借力中国产业链优势,及郑州日产33年全球皮卡制造经验,以中国速度,把更好的产品和服务推向市场,满足全球用户的差异化用车需求。”

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日产全球执委会委员兼中国区主席、东风汽车有限公司总裁 马智欣

不仅如此,以锋坦Frontier Pro为支点,还构建起了中国品牌“技术+产品+品牌+服务”全链路出海完整体系,全面超越传统贸易出海。这不仅是郑州日产33年皮卡制造经验的厚积薄发,更开创了合资车企“技术出海”的新范式,为全球化发展提供了全新路径。

郑州日产执行副总经理毛力民特别强调:“积极开拓全球市场是郑州日产实现跨越的必然选择。我们融合中日股东优势与日产全球制造标准,依托自主研发实力,构建了完整的国际化体系。首款以日产品牌出口海外的锋坦,正是这一体系实力的结晶。我们不仅推动产品出海,更将构建全面完善的海外售后服务保障体系,实现日产认证备件稳定按期供应,确保海外服务配套全面就绪,为车型批量出口与海外客户用车体验提供坚实的支撑与保障。”

3、郑州日产执行副总经理毛力民分享郑州日产全链路出海布局和全球化战略 (1).JPG

郑州日产执行副总经理毛力民分享郑州日产全链路出海布局和全球化战略

随着“Re:Nissan”计划的推进以及日产汽车多年来持续深耕中国市场,中国已从单一销量中心,升级为驱动日产全球技术创新与战略转型的关键引擎。通过“在中国、为中国、向全球”战略,日产汽车在华构建起从研发、设计、生产到出口的完整闭环。中国凭借在电动化、智能化领域的产业链优势与创新活力,正成为日产汽车全球产品矩阵的重要输出地。

4、从左至右:常军、姚利文、孙延伟、市川敦、马智欣、刘新宇、马磊、毛力民、园边圣芳、刘聚良 (1).JPG

从左至右:常军、姚利文、孙延伟、市川敦、马智欣、刘新宇、马磊、毛力民、园边圣芳、刘聚良

锋坦Frontier Pro基于全球多元越野平台“星核”打造,融合了行业领先的AHT全场景电混科技,采用燃油+混动的双动力阵容。其中,锋坦Frontier Pro定位为国际化超豪华智享皮卡,而锋坦Frontier Pro PHEV定位为全球首款超豪华电混皮卡,全面满足当前皮卡用户的个性化需求,为用户带来智能舒适的越级体验。

在传承日产皮卡一贯的可靠耐用、强悍性能的基础上,锋坦Frontier Pro深度融合了前沿的智能科技、媲美高端乘用车的舒适化体验,以及领先的新能源技术,让皮卡突破商用属性和场景限制,也能潮出风采,玩得精彩。随着锋坦Frontier Pro的正式出海,也将会把中国技术、潮玩乐趣带到世界各地,引领全球皮卡市场的新风向。

未来,日产汽车将持续深化在华布局,依托中国团队的研发创新能力与制造实力,推出更多面向全球市场的优质产品,以中国智慧与中国力量,助力日产汽车实现全球战略转型,为全球用户带来更优质的出行体验。

日产汽车在中国

日产汽车在中国的发展始于1973年,自进入中国市场以来,日产汽车深度参与、见证了中国汽车产业的发展,并为之做出贡献,同时,将日产品牌的激情与创新带到了中国市场。2024年,日产汽车以全新品牌主张“尽兴由NI”焕新启航,2026年,日产汽车将继续践行“在中国、为中国、向全球”的承诺,以定制化的市场战略持续深耕中国市场。

日产(中国)投资有限公司是日产汽车在华全资子公司,与日产汽车公司一起管理在华投资业务,包括设计、研发、出行服务及零部件出口等。

东风汽车有限公司是日产汽车与东风汽车公司成立的合资企业。东风汽车有限公司旗下含三大业务板块:东风日产乘用车公司负责日产、启辰和英菲尼迪品牌的乘用车业务。郑州日产汽车有限公司负责日产、东风双品牌的轻型商用车业务。东风汽车零部件(集团)有限公司负责汽车装备和汽车零部件研发、制造、销售等业务。

更多关于日产汽车在中国的新闻信息,欢迎浏览日产中国官方网站及微博、微信:

www.nissan.com.cn

www.weibo.com/chinanissan

关于日产汽车

日产汽车自1933年成立以来,秉持“推动创新,丰富人们的生活”的企业宗旨和“敢为人先”的企业精神,勇于挑战未知的可能,以创新技术和卓越品质引领行业发展,丰富人们的生活。20255月,日产汽车公司发布了“Re:Nissan”计划,积极转型塑造移动出行的未来。

关于日产汽车的产品、服务和可持续发展战略信息,欢迎浏览日产汽车新闻网站nissan-global.com,或关注日产汽车的 FacebookInstagramXLinkedIn账号获取更多资讯,访问YouTube观看最新视频。

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服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics简称ST纽约证券交易所代码:STM) 公布了将于2026年5月27日在荷兰阿姆斯特丹举行的2026年股东大会的提案。

监事会提议的决议如下:

·批准按照国际财务报告准则(IFRS)编制的截至2025年12月31日的公司法定年度财务报表。2025年法定年度财务报表已于2026年3月26日提交荷兰金融市场管理局 (AFM),并已在公司官网(www.st.com)和AFM官网(www.afm.nl)上公示。

·分四次按季度向每个季度派发月登记在册的持有流通股的股东,派发每股0.36 美元现金股息,2026 年第二、第三和第四季度和 2027年第一季度每季度派发 0.09 美元,详细的派发时间安排见文后附表;

·Frédéric Sanchez 先生连任监事会成员,任期三年,至 2029 年度股东大会结束时届满;

·批准总裁兼首席执行官薪酬中的股权激励部分;

·批准总裁兼首席财务官薪酬中的股权激励部分

·授予执行董事会在 2026 年股东大会结束前回购公司股票的权利,但须经监事会批准;

·授权监事会发行新普通股、授予相关股份认购权,并限制和 / 或排除现有股东对普通股的优先认购权,授权有效期至 2027 年度股东大会结束时止。

·免除执行董事会成员的责任;

·免除监事会成员的责任。

全体股东出席本次年度股东大会的股权登记日为 2026 年 4 月 29 日。2026 年度股东大会完整议程、所有相关详细信息及会议资料,自 2026 年 3 月 26 日起刊载于公司官网(www.st.com),并已按照法律规定向股东提供。

关于美国证券交易委员会(SEC)的规则修订及美国金融业监管局(FINRA)的相应规则调整,美国市场实行交易次日交收标准(T+1)。欧洲市场交收规则暂时维持 T+2。

下表汇总列示季度股利的完整安排:

纽约和荷兰挂牌股票之间转让在以下规定期间受到限制:

欧洲证交所

纽约证交所

季度

除息日

登记日

派发日

除息日和登记日

派发日:当天或之后

从纽约证交所收盘:

到纽约证交所开盘:

2026年二季度

2026622

2026623

2026624

2026623

2026630

2026618

2026624

2026年三季度

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2026922

2026923

2026922

2026929

2026918

2026923

2026年四季度

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20261215

20261216

20261215

20261222

20261211

20261216

2027年一季度

2027315

2027316

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2027316

2027323

2027312

2027317


关于意法半导体

意法半导体拥有48,000名半导体技术的创造者和创新者,掌握半导体供应链和先进的制造设备。作为 一家半导体垂直整合制造商(IDM),意法半导体与二十多万家客户、成千上万名合作伙伴一起研发 产品和解决方案,共同构建生态系统,帮助他们更好地应对各种挑战和新机遇,满足世界对可持 续发展的更高需求。意法半导体的技术让人们的出行更智能,让电源和能源管理更高效,让云连接的自主化设备应用更广泛。我们正按计划在所有直接和间接排放(包括范围1和范围2)、产品运输、商务旅行以及员工通勤排放(重点关注的范围3)方面实现碳中和,并在2027年底前实现 100%使用可再生电力的目标。 详情请浏览意法半导体公司网站:www.st.com.cn


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据《亚洲控制工程》报道。

当半导体制造迈入纳米级的精度竞赛,当产线效率的瓶颈从设备硬件转向数据协同,一场以"软实力"为核心的智能化变革正在产业深处悄然发生。

在Semicon China 2026上,推动制造智能化、柔性化的软件系统与材料、工艺等硬科技并重,成为产业焦点。台达凭借构建的全栈软件生态,正成为这场变革中不可或缺的关键赋能者。

全栈产品矩阵:破解半导体智造核心挑战

面对先进制程对稳定性、一致性与极致效率的苛求,纯硬件迭代已力不从心。台达深度洞察行业趋势,打造了一套覆盖虚拟验证、实时互联、智能管控与质量溯源的软件体系,为直接半导体制造深度发展核心挑战:

1、以DIATwin叩开虚拟世界之门,重塑研发效率

半导体设备的设计成本太高?

台达的数字孪生解决方案,通过在云端构建设备及产线的虚拟分身,提供高拟真制程模拟。工程师可在虚拟环境中无风险地进行工艺调试与布局优化,大幅压缩新品导入周期,实现从"经验试错"到"模拟择优"的范式转移。

2、以DIASECS打通设备"语言",让数据无缝流通

产线上设备品牌林立、协议繁多的痛点如何解决?

台达DIASECS半导体设备通讯和控制应用软件严格遵循SEMI国际标准,高效破除数据壁垒,实现与MES等上位系统的秒级数据贯通,为智能化打下坚实的"连接"基础。

3、以DIAEAP+构建智能产线中枢,驱动透明运营

数据汇聚之后,如何实现向管理层实时穿透?

台达DIAEAP+设备自动化控制系统能够担任"中枢大脑"的角色,结合台达DIASECS标准通讯,统一管控全域设备,确保生产数据实时、准确上传,及配方的设备端下载。它能实时监控设备状态,减少人工干预与操作失误,推动产线运营迈向真正的透明化与智能化。

4、以DIASPC筑牢质量生命线,实现预防式管控

产品质量如何通过数据化管理得到进一步加强?

台达DIASPC统计过程控制系统,将质量管理从事后检测推向事前预警与事中控制。通过实时监控制程波动并实现秒级异常报警,它不仅守护产品良率,更驱动制程能力的持续提升。

生态协同:释放"1+1>2"的乘数效应

台达软实力的真正精髓,在于产品间的深度协同与数据闭环。DIATwin的虚拟优化参数,可通过DIASECS下发至实体产线执行;DIAEAP+采集的生产数据实时输送给DIASPC进行质量研判,结果又反向指导模型优化与工艺优化。

由此,"虚拟验证-实体执行-实时监控-持续优化" 的完整闭环由此形成。数据在这一生态中循环流动、持续增值,帮助客户实现从研发、生产到管控的全价值链协同优化与根本性增效。

赋能产业未来,共筑智造基石

目前,台达的全栈软件生态已在多家领先半导体企业中得到验证,助力其在制造与封测环节提升设备综合效率、降低运营成本并增强质量稳定性。

面向未来,台达将继续深耕半导体领域,以不断进化的软件生态为核心,协同全球伙伴,共同筑牢半导体智造新时代的发展根基。

关于台达

台达创立于 1971 年,为全球提供电源管理与散热解决方案,并在工业自动化、楼宇自动化、通信电源、数据中心基础设施、电动车充电、可再生能源、储能与视讯显示等多项产品方案领域居重要地位,逐步实现智能制造与智慧城市的发展愿景。台达秉持"环保 节能 爱地球"的经营使命,将企业可持续发展与商业模式相结合,运用高效率电力电子核心技术,以因应气候变迁带来的环境议题。台达运营网点遍布全球,在五大洲近200个销售网点、研发中心和生产基地为客户提供服务。

多年来,台达投入事业运营、科技创新与企业可持续发展的成就荣获多项国际荣耀与肯定。自2011年起,台达连续14年入选道琼斯可持续发展指数 (Dow Jones Sustainability Indices, 简称DJSI) 之"世界指数" (DJSI World Index) ,亦4度荣获CDP (全球环境信息研究中心) 年度评比气候变迁与水安全双"A"领导评级,并连续7年获评供应链参与领导者。

关于中达电通

自1992年在上海成立以来,中达电通始终聚焦于智能制造、AI数据中心、智能楼宇及智慧能源四大领域。依托母公司台达集团在电力电子与控制技术的坚实底蕴,中达电通不仅整合了全面的产品线,更凭借对行业趋势的敏锐洞察,持续推出创新解决方案,为客户打造坚实的技术支撑。

紧跟新质生产力的发展趋势,中达电通积极革新技术与方案,以科技赋能产业转型升级。面对企业"双碳"目标挑战,凭借在节能与绿能领域领先技术,以及在零碳工厂建设的丰富经验,我们提供从咨询、方案设计到工程实施、目标达成的全方位服务,助力客户绿色转型。

中达电通在全国拥有超过70个分支机构(含维修中心),并组建了一支经过严格培训的技术服务团队。他们秉持客户至上的原则,提供个性化、全方位且可靠的售前、售中及售后服务,确保客户满意度的持续提升。

台达凭借遍布全球的200个运营网点,强势推动全球业务布局。中达电通深度融入并助力中国企业的"出海"战略。通过专业能力和全球网络资源,中国企业能够更好地应对海外市场的挑战,实现业务的国际化飞跃。中达电通坚信,只有携手并进,才能推动社会可持续发展。

详细资料请参见官方网站:www.delta-china.com.cn

稿源:美通社

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202643专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售Qorvo新款QPA9510 GSM(全球移动通信系统)功率放大器。QPA9510是一款高性能功率放大器,专为100MHz1000MHz宽带、远距离射频系统而优化,适用于智能公用事业网络、工业物联网、UHF/LMR无线电、RFID、远程信息处理及其他低频通信平台。

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Qorvo QPA9510功率放大器基于Qorvo先进的GaAs工艺制造,采用紧凑的5 × 5 mm QFN封装,能够满足智能电表、工业遥测、UHF双向无线电以及各类低频段系统架构的应用需求。QPA9510提供高达34dB的高效且稳健的最大增益,支持高达+35dBmP1dB输出功率,非常适合作为空间受限的Sub-1 GHz系统设计中的最终射频级,包括UHF通信系统和远距离物联网平台。Qorvo QPA9510放大器采用2.8V3.6V单电源供电,内置模拟功率控制器,可提供超过70dB的增益控制范围(包括待机模式),同时支持在整个频宽内轻松进行调谐,以优化系统性能。

贸泽还提供QorvoQPA9510EVB 900MHz GSM评估板,这是一个完全组装好的测试平台,旨在展示QPA9510 功率放大器 (PA) GSM频段应用中的性能。该电路板专为865MHz928MHz频率范围设计,集成了QPA9510功率放大器以及偏置和控制电路,让用户能够评估增益、输出功率、效率和线性度等关键参数。Qorvo QPA9510EVB配备射频输入和输出连接器,可与实验室设备无缝集成,并支持2.8V3.6V单电源供电,同时具备模拟功率控制功能,可实现动态增益调节。该电路板的布局符合Qorvo推荐的设计规范,非常适合用于工业、公用事业和基础设施应用中GSM及其他sub-1 GHz射频设计的原型制作、系统开发和性能验证。QPA9510属于Qorvo广泛的高性能射频构建模块产品组合,可简化Sub-1 GHz系统设计。

如需了解更多信息请访问https://www.mouser.cn/new/qorvo/qorvo-qpa9510-amplifiers/

如需了解更多贸泽新闻和新品介绍请访问https://www.mouser.cn/newsroom/

作为全球授权代理商,贸泽电子库存有丰富的半导体、电子元器件以及工业自动化产品。贸泽旨在为客户供应全面认证的原厂产品,并提供全方位的制造商可追溯性。为帮助客户加速设计,贸泽网站提供了丰富的技术资源库,包括技术资源中心、产品数据手册、供应商特定参考设计、应用笔记、技术设计信息、设计工具以及其他有用的信息。

工程师还可以一键订阅免费的贸泽电子报,及时了解业界新品动态和资讯。在订阅贸泽的电子报时,我们可以根据您不断变化的具体项目需求来提供相关的新闻报道和参考信息。贸泽充分尊重用户的权利,让您能自由掌控想要接收的内容。欢迎登陆https://sub.info.mouser.com/subscriber-sc注册,及时掌握新兴技术、行业趋势及更多资讯。

关于贸泽电子 (Mouser Electronics)

贸泽电子是一家授权半导体和电子元器件代理商,专门致力于向设计工程师和采购人员提供各产品线制造商的新产品。作为一家全球代理商,我们的网站mouser.cn能够提供多语言和多货币交易支持,提供超过1200家品牌制造商的680多万种产品。我们通过遍布全球的28个客户支持中心,为客户提供无时差的本地化贴心服务,并支持使用当地货币结算。我们从占地9.3万平方米的全球配送中心,将产品运送至全球223个国家/地区、超过65万个顾客的手中。更多信息敬请访问https://www.mouser.cn

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作者:电子创新网张国斌

如果你还在用“算力决定一切”的视角看AI,那你基本已经OUT了!过去两年,行业所有的注意力都集中在GPU、HBM、算力集群上。但当大模型真正走向推理规模化、开始进入商业系统之后,一个更现实的问题浮出水面:系统开始跑不动了——不是算力不够,而是数据“流不动”。很多一线工程团队已经有一个共识——AI系统的瓶颈,正在从“算力墙”,转向“存储墙”。而这一次,闪迪在CFMS上的一系列动作,实际上就是在回答这个问题:

当AI进入推理时代,存储到底该怎么重做一遍?

先看一个被低估,但决定性的数据。在Transformer架构中,推理阶段的资源占比已经发生了根本变化:KV Cache占到了约84%,远高于模型权重本身。这意味着什么?意味着——你以为在跑模型,其实大部分资源在“存中间结果”。更麻烦的是,这些KV Cache还在疯狂膨胀。上下文长度从1K拉到128K,内存需求呈指数级增长。

再叠加多轮对话、Agent工作流、长视频理解,问题直接变成:内存装不下,成本撑不住,系统跑不稳。这才是AI推理真正的第一性问题。行业过去的解法很直接:堆内存、堆HBM。

但问题在于,这条路是不可持续的。HBM很贵,DRAM扩展也很贵,而且功耗和物理空间都在逼近极限。如果继续把所有数据都绑定在内存体系内,AI的商业化会被成本直接卡死。

于是,一个关键分水岭出现了:KV Cache,能不能离开内存?闪迪的答案是:可以,而且必须。这次最关键的一步,是把KV Cache“下放”到SSD。

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<闪迪公司全球产品高级副总裁Eric Spanneut>

闪迪公司全球产品高级副总裁Eric Spanneut在CFMS | MemoryS 2026峰会发表主题为《闪存创新赋能全域》的演讲时也有提及:“将数千个对话的KV缓存全部留存在Tier 1 存储层中是不现实的。而将KV缓存卸载至企业级SSD并实现快速检索,是更为切实可行的先进方案。”

注意,这不是优化,而是“换了一种系统运行方式”。这件事的意义在于:GPU不再被内存卡住、DRAM压力被释放、长上下文推理变得可行,推理成本出现数量级下降空间!简单说一句话:SSD开始进入“推理路径”,而不是只做冷存储。

但问题又来了——如果SSD要参与推理,它必须同时解决三个问题:容量、性能、成本。如何解决这三个问题?答案就在本次闪迪CFMS|MemoryS 2026 峰会的展台上。

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< Sandisk闪迪媒体圆桌会议 >

这次闪迪不止带来了覆盖云、边、端全场景的闪存存储解决方案来到现场,还同时举办了媒体圆桌会议,闪迪公司副总裁兼中国区总经理蔡耀祥、闪迪公司产品市场总监张丹及闪迪公司产品市场经理耿华三位发言人共同出席,与到场媒体探讨了当今AI驱动下的闪存存储技术演进趋势,并分享了包括新品SANDISK® iNAND® MC EU721嵌入式闪存驱动器在内的全场景闪存解决方案的详细信息。

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<闪迪公司副总裁兼中国区总经理 蔡耀祥>

闪迪公司副总裁兼中国区总经理蔡耀祥表示:“AI应用加速普及,智能手机与智能网联汽车持续发展,数据中心基础设施不断完善。这些都带来了日益激增的数据量和更为复杂严苛的工作负载,从而对先进闪存存储技术产生了巨大需求。闪迪长期深耕中国市场,持续聚焦本土多样化需求,依托于先进的垂直整合能力、一线的NAND技术积累与产能优势,面向多元应用场景提供创新型闪存存储解决方案。在企业级、消费级、客户端、游戏、移动端及嵌入式等多个领域,闪迪通过丰富的产品组合助力客户充分释放数据价值,在AI时代擘画一条清晰的高质量发展道路。”

在此次峰会的展台上,闪迪展示了覆盖数据中心到移动终端,从智能汽车到智慧视频的丰富闪存存储解决方案,全面展现了其在AI时代全场景数据底座构建中的技术积淀与产品纵深。

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< Sandisk闪迪参展CFMS | MemoryS 2026 >

移动端:首款QLC UFS 4.1新品登场,解锁终端AI新体验

在移动端,闪迪重磅推出了其首款基于QLC NAND技术的UFS 4.1嵌入式闪存解决方案——SANDISK® iNAND® MC EU721嵌入式闪存驱动器。这款新品精准瞄准了从主流到旗舰级移动智能设备对存储密度、速度与可靠性的综合需求。该产品基于先进的SANDISK® BiCS8 QLC 3D NAND技术打造,并采用UFS 4.1标准接口,兼具高性能与高兼容性。在性能表现上,其1TB容量版本的顺序读写速度分别高达4,500MB/s和4,300MB/s,并足以支持5G和Wi-Fi 7等新一代连接技术。

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< SANDISK® iNAND® MC EU721嵌入式闪存驱动器 >

更值得关注的是,SANDISK® iNAND® MC EU721嵌入式闪存驱动器针对边缘AI与AR/MR/XR等创新应用进行了深度优化。它能够赋能移动设备加速实现本地化的AI数据处理,例如实时多语言翻译、智能影像语义分割和离线语音助手等,有效降低了对云端算力的依赖和延迟。此外,集成的Advanced RPMB隐私加密、设备健康异常监测及HID碎片文件管理等功能,为高性能、高安全性和长期流畅体验提供了坚实保障。据悉,该产品目前已向客户出样,提供256GB、512GB和1TB三种容量规格,并预计于2026年4月正式上市

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< SANDISK® iNAND® MC EU721嵌入式闪存驱动器 >

汽车端:车规级存储助力构建新一代车载AI数据底座

随着智能网联汽车和软件定义汽车架构的加速落地,车载AI系统对存储的要求已从“能用”升级为“严苛”。智能座舱的多屏交互、自动驾驶的实时感知数据流、高精地图的动态加载,以及全车的OTA升级与日志记录,共同催生了对高带宽、大容量、高耐用度且符合功能安全要求的车规级存储的迫切需求。

针对这一趋势,闪迪在此次展会上重点展示了其车规级存储产品线的“双引擎”布局。首先是SANDISK® iNAND® AT EU752 UFS 4.1嵌入式闪存驱动器,该产品专为支持智能网联汽车和软件定义汽车等新一代车载AI系统所带来的复杂工作负载而设计。结合高速UFS 4.1接口,使得顺序读取速度高达4,300 MB/s,顺序写入速度高达4,100 MB/s(1TB容量规格),性能较前代产品提升超过两倍,能够让车载AI系统可以更快地读取数据,在系统层面提升决策响应速度。

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< SANDISK® iNAND® AT EU752 UFS 4.1嵌入式闪存驱动器 >

针对新一代高性能中央计算架构,闪迪还提供了SANDISK® iNAND® AT EN610 NVMe SSD。这是一款车规级、高性能、支持宽温工作范围的存储解决方案。AT EN610采用了大容量TLC闪存,并为用户提供了将全部或部分存储空间配置为高耐久性的SLC模式的灵活选择。该产品使用M.2 1620 BGA封装,并拥有高达1TB的存储容量。

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<SANDISK® iNAND® AT EN610 NVMe SSD>

面对当下不同车载场景对存储性能的差异化需求,闪迪公司产品市场经理耿华在展会期间的圆桌会议中进一步解释道:“车载存储目前主要分为座舱和智驾两大场景。座舱应用场景对启动速度、地图加载及内容读取性能要求较高;而智驾应用场景则需同时兼顾读写性能,因为系统运行中产生的日志和视频数据需要及时存储。”

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< 闪迪公司产品市场经理耿华 >

云数据中心:基于PCIe® Gen5和UltraQLC™的SSD,在计算与存储全面赋能AI

在云数据中心领域,针对AI计算密集型应用场景中的高性能存储需求,闪迪则展出了采用PCIe® Gen 5接口SANDISK® SN861 NVMe SSD,其超低的延迟和非凡的响应速度使其尤为适用于大语言模型(Large Language Model,LLM)的训练、推理和AI服务部署。针对存储密集型应用,闪迪还提供了大容量企业级UltraQLC™平台,其中SANDISK® SN670 NVMe SSD容量高达256TB,旨在为构建高速AI数据湖提供卓越的性能和容量支持,并进一步支撑AI数据准备。

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<SANDISK® SN861 NVMe SSD>

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<SANDISK® SN670 NVMe SSD>

智慧视频:更高耐久度支持严苛工作负载

此外,闪迪还展出了专为终端视频场景深度优化的SANDISK® Video VD QD131 microSD™高耐久视频存储卡。该存储卡支持7×24小时连续写入,适应极端工作环境,并具备智能健康监测功能,在实现大容量存储的同时兼顾高效及高可靠性,以支持智慧视频、车载等关键场景的严苛需求。

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<SANDISK® Video VD QD131 microSD™高耐久视频存储卡>

闪迪的深度布局

如果你只看到闪迪的产品层,那还不够。前不久,闪迪还通过推出开源工具SPRandom来重新定义企业级SSD测试的新范式——突破了耗时的技术壁垒,成功打造更快速、开放且具备行业影响力的真实场景性能验证标准。这款创新的开源工具SPRandom,旨在解决SSD基准测试中的重大技术瓶颈。预处理是基于实际工作负载对SSD进行测试的关键步骤,以确保性能表现准确且可重复,并真实反映客户的实际使用情况。传统上,使容量超过16TB的SSD进入稳态并进行准确测试,通常需要耗时数天甚至数周对SSD进行顺序与随机写入。而借助SPRandom工具,采用伪随机预处理方法并整合I/O基准测试工具fio(Flexible I/O Tester),可将这一过程缩短至仅仅数小时。 

以创新驱动未来,助力释放AI时代数据价值

面向人工智能加速演进的新时代,数据正成为驱动产业升级与价值创造的核心生产要素,存储技术的重要性愈发凸显。作为一家具有国际竞争力的半导体公司,Sandisk闪迪专注于闪存及先进存储解决方案制造,提供覆盖数据中心、边缘计算和消费市场在内的全面的存储产品组合。

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< 闪迪公司产品市场总监张丹 >

值得一提的是,闪迪之所以能够同时覆盖从云数据中心到边缘端如此广泛的产品线,背后有着清晰的逻辑。在谈到这一布局时,闪迪公司产品市场总监张丹表示:“我们现在的视角是,数据中心在赋能各个不同的场景。其实在这个发展阶段,甚至是过程之后,需要不同的边缘端像叶子一样吸收养分、采集数据,来反哺数据中心。这是一个生态的闭环,就像一棵树,我们希望它不断茁壮成长。这也是为什么我们推出了覆盖云、边、端场景的全面产品组合。”正是基于这一理念,闪迪不仅在云数据中心领域持续深耕,同时也在移动端、汽车端、智慧视频等边缘场景不断推出针对性的存储解决方案。

从口袋里的智能手机,到飞驰的智能汽车,再到驱动未来的云端AI,闪迪在CFMS 2026上展示了其深厚技术底蕴和敏锐的市场洞察力。可以看出,闪迪正以全面、精准的存储解决方案,成为AI时代不可或缺的数据基石构建者。(完)

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作者:Kurk Mathews,高级应用经理

Luis Onofre Lazaro,应用工程师

摘要

本文讨论了应用氮化镓场效应晶体管(GaN FET)时,对栅极电压进行精准控制和对栅极参数进行高精度测量的必要性。

引言

氮化镓场效应晶体管(GaN FET)相较于硅FET,开关速度更快,封装更小,功率损耗更低。这些特性使得电源转换器能够在更高频率下运行,从而既能减小整体解决方案尺寸,又能保持高效率。虽然DC/DC转换器的基本设计保持不变,但GaN带来了额外的设计和测试挑战。其中一个较为关键的挑战是对栅极电压和时序进行精准控制。这种控制可能很有难度,原因在于开关时间可能超过了传统控制器和测试设备的处理能力。幸运的是,GaN专用的控制器和测量技术能够解决这些问题,并确保电源设计稳健可靠,同时不会增加额外的复杂性。

GaN性能和特性

图1显示了一个12 V降压型转换器,它基于LTC7891同步控制器,用于驱动100 V GaN FET。以500 kHz频率运行时,在20 A负载和48 V输入下,它可实现97%的效率。这比目前的100 V硅FET效率高出约2%,功率损耗减少40%。*硅方案要实现这种性能,必须将开关频率降低一半以上,并且需要使用更大的电感,整体解决方案尺寸会加大。该器件属于新型控制器系列,专门设计用于满足GaN的栅极驱动和开关要求,无需额外的元件。ADI公司针对GaN优化的控制器产品系列还包括LTC7890(100 V双通道降压型控制器),以及LTC7893LTC7892(分别为100 V升压型和双通道升压型控制器)。

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1.LTC7891降压型转换器原理图

*LTC7891控制器提供4 V至5.5 V栅极驱动电压,适合GaN和逻辑电平硅FET。LTC7897控制器提供5 V至10 V栅极驱动电压,适合标准电平硅FET。

栅极电压

硅FET的栅源电压通常在4.5 V至10 V之间,绝对最大额定值为±20 V。相比之下,100 V GaN FET的栅源电压可能规定为5 V,且为了确保器件的长期可靠性,其电压范围被限制在+6 V至-4 V之间。为了满足这些GaN指标,栅极电源必须保持高度稳定,并且有极小的高频过冲或下冲。虽然精密5 V电源对低边FET而言已足够,但要限制高边FET的栅源电压,必须使用额外的电路或GaN专用控制器。

栅极驱动器电源

在图2中,Bootstrap电容和二极管(CBOOT和DBOOT)实现了传统的高边栅极驱动电源。当高边(TOP)开关关断时,受电感电流或低边(BOT)开关导通的影响,开关节点变为低电平。当两个开关均关断时,硅FET的体二极管将开关节点的电压限制在地电位以下约1 V。相比之下,GaN FET能够反向导通,其特性类似于2 V至3 V体二极管。使用Bootstrap二极管时,负开关电压会加到Bootstrap电容的电压上,从而增加高边FET的栅源电压。或者,可使用智能开关来防止驱动器过充,从而无需额外的箝位二极管。此有源开关在BOT栅极导通后导通,产生一个不依赖于体二极管压降的稳定高边栅极驱动电压。在死区时间较长的情况下,这些控制器能够承受开关节点上的负尖峰。在建立稳定的高边驱动器电源后,下一步是准确测量高边FET的栅源电压。

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2.内置智能Bootstrap开关的GaN控制器

栅极测量

图3显示了基于GaN的降压型转换器的栅极和开关波形。在没有串联栅极开通电阻的情况下,TOP FET的栅源电压(VTOP_GS)超过了GaN FET的+6 V最大栅源电压额定值。增加一个2.2 Ω TGUP电阻可降低VTOP_GS,并抑制栅极和开关节点的振铃。高阻抗示波器探头捕获了以地为基准的低边栅极(VBG)和开关节点(VSW)波形。TOP FET的源极电压(VSW)在VIN和地电位之间振荡。GaN的高斜率(超过30 V/ns)和300 MHz振铃超过了通常用于进行VTOP_GS测量的差分探头的实际共模限值。幸运的是,可利用光隔离探头来实现这一测量。此类探头由Tektronix基于IsoVu™技术率先推出,拥有惊人的高频共模抑制比(CMRR),价格自然也不菲。

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3.采用隔离探头测量的导通波形

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4.隔离探头设置

图4显示了实际工作场景中的隔离探头。此类探头通过光缆连接到示波器,既实现了电气隔离,又有效降低了共模输入电容。探头的衰减器尖端直接插入MMCX连接器。探头还可通过接头引脚和MMCX转方形引脚适配器连接到PCB测试点。为确保探头发挥最佳性能,探头尖端与PCB之间的连接应尽可能短,并采取有效屏蔽措施。板载的MMCX连接器可提供最佳同轴连接,但务必从FET栅极和源极引出短开尔文走线。隔离探头可能是测量高边GaN栅极电压的最佳方法,甚至可能是唯一可行的方法,但我们不妨比较一下另一种常见方法的表现。

无源探头

高边栅极信号的测量,可利用两个以地为基准的无源探头、一个数字示波器和数学运算来实现。这种A-B或伪差分技术1尽管存在电压范围和CMRR有限的问题,但在评估低压DC/DC转换器的栅极时序时,仍然很受欢迎。进行高边栅极测量之前,最好先快速检查共模抑制性能。将两个探头连接到同一高dv/dt电压,消除时序偏差,从一个通道的信号中减去另一个通道的信号,观测剩余信号。如果CMRR足够,则只应看到很小的残余电压,远低于实际的栅极信号。探头负载效应是另一个关键因素。理想情况下,探测不应影响电路运行或波形。标准高阻抗无源探头的输入阻抗为10 MΩ,且与3.9 pF至10 pF的电容并联。相比之下,隔离探头的接地电容较低(低于2 pF)。还有一些不太常见的低阻抗(500 Ω到5 kΩ)无源探头**,其电容很低,这在此类测量中可能会有所帮助。

结果

图5将使用A-B方法捕获的VG–VSW波形,与之前图3中隔离探头设置测得的VTOP_GS(以虚线显示)进行了比较。在此测试中,选择了低阻抗无源探头(5 kΩ // < 2 pF),原因是较高电容探头(≥3.9 pF)会导致VSW的峰值幅度明显下降,表明存在探头负载效应。栅极波形基本吻合,但A-B方法测得的残余共模信号峰峰值达2.7 V。与7 V的VG–VSW信号峰峰值相比,该共模干扰较为显著。高阻抗无源探头显示出类似水平的残余共模噪声,但测得的VG–VSW峰值降低了17%到30%,原因可能是负载效应、匹配和响应问题。

图6中的VG和VSW是使用单个无源探头分两步捕获的。通过这种方法捕获VG波形,并将其保存在存储器中。然后移动该探头,利用它捕获VSW。请注意,连接到VSW的第二个探头在两次测量期间触发示波器。利用通道数学运算功能,调取波形并进行相减运算。这种方法增加了一个步骤,但避免了探头不匹配,从而改善了共模抑制。虽然高阻抗无源探头的表现超出了预期,但低阻抗探头提供的结果更接近于可信隔离探头测得的结果,因此在这种情况下,后者是首选。

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5.使用A-B方法进行TOP FET栅极测量(VG - VSW)

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6.使用一个探头进行TOP FET栅极测量(VG - VSW)

**指的是高频低阻抗电阻分压器、50 Ω或Z0探头。

结语

在尺寸和性能方面,低压GaN DC/DC转换器明显优于相应的硅器件。然而,这些优势也伴随着新的挑战,包括需要对栅极电压进行精准控制和对高边栅极参数进行准确测量。只要将针对GaN优化的控制器与适当的测量技术正确组合,便可解决这些挑战,实现稳健高效的设计,同时无需额外增加电路。

参考文献

1 “Fundamentals of Floating Measurements and Isolated Input Oscilloscopes”,Tektronix。

作者简介

Kurk Mathews是ADI公司电源产品部高级应用经理,工作地点位于加利福尼亚。他所在的部门负责支持电源应用和新型控制器的开发。他喜欢使用各种新旧测试设备进行模拟电路设计和故障排除。Kurk毕业于亚利桑那大学,获得电气工程学士学位。

Luis Onofre Lazaro是ADI公司功率控制部应用工程师,工作地点位于加利福尼亚。Luis于2020年毕业于加州州立理工大学,获电气工程学士学位,之后加入ADI公司。

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4月3日,强制性国家标准《移动电源安全技术规范》(以下简称新国标)正式发布,将于2027年4月1日实施。作为深度参与2026移动电源新国标的讨论与制定,以及新国标起草的核心企业,OPPO将“手机级”品质管控标准应用于移动电源产品线,打造 OPPO 冰盾安全电芯,宣布旗下待上市移动电源电芯全面通过新国标验收,并已开启新品预约。

全链路生产探秘:手机级标准下的“冰盾”安全体验

随着新国标的颁布,消费者对移动电源的安全关注度达到新高度。此前,央视走进OPPO移动电源生产工厂,对移动电源新品生产全链路进行了深入探访,揭开了一款优秀的移动电源从研发到制造的神秘面纱。

在央视的镜头下,OPPO移动电源的生产全链路首次全方位公开展示。对于OPPO而言,通过国标仅是起点。OPPO 移动电源开发负责人王楚在采访中表示:“安全不仅仅是及格线,更是产品开发的基石。我们将“手机级”品质管控标准应用于移动电源产品线,打造 OPPO 冰盾安全电芯——不仅通过了针刺、过充等新国标强制项,甚至部分内控标准取得了更高规格水准,更基于 SUPERVOOC 安全技术积累与全面完善的服务保障,让消费者获得更安心、更极致的产品体验。”

从电芯的材料筛选到封装防护,每一个环节都历经严苛考验,以更高规格的防护技术,确保即使在极端环境下也能保持稳定,为用户带来极致安全体验。“正是基于严苛的品质管控,使得新款移动电源在全面对标新国标要求的同时获得了多项超品质的成绩。”王楚进一步强调。

值得一提的是,即将发布的首批符合新国标的 OPPO 旗舰级移动电源新品 —— OPPO SUPERVOOC 120W 超能舱 超级闪充移动电源,不仅各项品质要求对标新国标全面打造,而且在功率和容量上也将有堪比“黄金配置”的全面升级,同时更极致的机身体积控制获得更佳的持握手感,是 OPPO 在持续多年在产品打造、技术积累下具有重要意义的又一力作,现已在其官方商城等电商渠道开启新品预约。

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多次参与国标制定,彰显技术领导力

OPPO成为新国标制定的 “核心起草单位”,意味着 OPPO 长期以来在品质管控、电芯材料筛选、充放电管理、安全防护等领域的技术积累,已获得国家机构的认可。这不仅是荣誉,更是OPPO将“用户至上”的理念,深度嵌入行业发展的具体实践。

事实上,这并非OPPO首次在电池安全标准领域担纲重任。此前,OPPO已凭借其在锂离子电池安全技术上的深厚积淀,荣获工信部锂离子电池及类似产品标准工作组颁发的GB 31241-2022《便携式电子产品用锂离子电池和电池组 安全技术规范》起草单位牌匾。这种连续的深度参与,是OPPO深耕电池安全技术连续性与前瞻性的有力证明,也充分展示了OPPO在以手机级高标准严控品质的同时,不断推动整个产业链实现安全技术普惠的决心。

从参与顶层标准设计,到制造环节的极致把控,OPPO正以实际行动诠释其在终端安全领域的深刻理解。OPPO冰盾安全电芯的技术加持,不仅推动移动电源产品实现“超标级”品质表现,更代表了OPPO将手机级安全基因向周边生态扩展的关键一步,充分展现出引领行业向高质量、高安全方向演进的企业责任担当。

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作者:Winnie

2026年4月2日,IBM 宣布与 Arm 达成合作,共同开发新型「双架构硬件」,以助企业运行未来 AI 和数据密集型工作负载。此次合作结合双方优势,构建灵活可扩展的计算平台,主要集中在三个关键领域:开发使基于 Arm 的软件环境能在 IBM 企业计算平台运行的虚拟化技术。满足现代人工智能和数据密集型应用工作负载需求。创建平台间共享技术层,提升软件生态系统及应用程序部署管理的灵活性。

过去二十年,x86主导企业数据中心,性能强但能效低、锁定严重。Arm高能效、低功耗,根据Dell‘Oro Group报告,2025年第二季度Arm服务器CPU市场份额已达25%,却长期难以进入银行、电信等关键任务环境——而这正是IBM的领地。此次合作既非“Arm取代x86”,也非IBM放弃自有架构,而是探索用一套硬件容纳两种架构,让企业不再在性能与能效、生态与安全之间二选一。

双架构硬件:原生共生,而非简单兼容

双架构硬件不是“一台服务器塞两颗不同CPU”。核心技术是跨平台虚拟化:双方正探索让Arm环境运行于IBM平台,而非靠模拟或翻译。开发者可继续使用Arm的AI工具链,运维团队则有望保留IBM大型机的高可用与安全。长远目标是共享技术层——一旦成功,应用可在两平台间自由迁移,系统自动匹配最优路径。

AI工作负载:把推理能力搬进数据堡垒

生成式AI与大模型推理是合作的重要动力。训练依赖GPU集群,而推理对吞吐、延迟、能效极为敏感——这正是Arm的优势。据IDC预测,2025年全球AI推理市场将占AI总投资的60%以上。然而,大量核心业务数据(银行交易、医疗记录等)受安全合规限制,不能离开IBM大型机。过去,AI应用只能在“安全但算力受限”与“强大但合规风险高”之间权衡。双方目标是让AI推理直接在数据所在平台运行,实现“数据不动,计算动”,大幅降低延迟与传输成本。

产业格局:谁在紧张?

x86阵营(英特尔、AMD)首当其冲。过去,企业若想同时获得高可靠与高能效,需分别采购IBM系统和Arm服务器,再通过复杂中间件集成。双架构硬件一旦落地,将提供一体化方案,可能削弱x86在企业中后台的主导地位。据IDC预测,2025年全球x86服务器市场规模将增长39.9%,达2839亿美元,但Arm服务器份额的快速上升正引起传统供应商的警惕。云服务商同样面临影响:AWS、Azure、谷歌云虽推广自研Arm实例,但缺乏IBM大型机级别的硬件隔离与故障恢复能力(如指令重试、CPU热备等RAS机制)。这不是一次简单的芯片合作,而是对传统企业计算分层模型的潜在颠覆。

挑战与时间表:从蓝图到数据中心

目前,双方处于技术探索阶段,未公布产品时间表。最大挑战不在硬件,而在软件生态迁移。共享技术层可降低难度,但企业现有x86应用不会自动加速。IBM与Arm需要强大的工具链与激励计划,才能撬动存量市场。双架构硬件的成败,取决于第一批企业能否以更低成本解决现有架构解决不了的问题。

写在最后

IBM与Arm的合作,让人想起二十年前x86侵入UNIX小型机市场的历史。这一次攻守易势:x86从挑战者变成守成者;Arm从移动端王者敲响企业级核心的大门;IBM选择“打不过就联合”——不是再造一个x86,而是创造x86无法轻易复制的新范式。企业计算不再是一个架构说了算的世界。未来的赢家,是能够自由跨越架构的人。

本文基于IBM与Arm战略合作的公开信息及产业分析撰写,不构成投资或采购建议。

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