基于氮化镓的数据中心电源日渐升温，功率为1.5至3.2千瓦的TET系列紧抓这一机遇
高可靠性、高性能的氮化镓(GaN)功率转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc. (OTCQB: TGAN)与Bel集团(NASDAQ: BELFA and BELFB)旗下子公司Bel Power Solutions联合宣布，Bel的六款钛金级效率电源采用了Transphorm的高压GaN场效应晶体管(FET)。从这一消息可以看出，在数据中心服务器、路由器和网络交换机中部署高性能、宽带隙电源装置已呈不断增长的趋势。
这六款基于GaN的TET系列电源装置是交流(AC)转直流(DC)前端电源。具体包括TET3000系列，这是业界首款达到钛金级效率的交流转直流电源，其中GaN被用于交流转直流无桥图腾柱功率因数校正(PFC)功率级——该产品此后可根据客户对高功率输出的需求，使用相同电路并在改进固件后，升级为TET3200系列。其余四个TET系列的功率在1.5千瓦到2.5千瓦之间，并采用标准1U或通用冗余电源(CRPS)机架安装式外形封装。整个系列在高电压下的效率超过96%，主输出电压为12 VDC（直流电压），这些电源装置也因此达到80 Plus钛金标准。
GaN：彻底改变数据中心电源领域
与硅(Si)相比，氮化镓功率转换器在电源应用中拥有根本性的优势。事实证明，Transphorm的GaN FET可以将交流转直流PFC级的效率提升到99%以上，从而在降低整体系统成本的同时，提高功率密度（外形尺寸相同，功率更大）——除此之外，已公布的现场可靠性小于1.0 FIT（失效率）。
鉴于这些优势，预计未来几年里，GaN功率晶体管的应用有望迅速增加。Omdia近日预测，事实上，从2019年到2024年，应用于数据中心电源的GaN功率晶体管的整体复合年均增长率将达到66.5%。
Bel Power Solutions业务发展经理Ian Warner表示：“我们始终坚持与大型数据中心合作，打造一系列具有针对性的电源解决方案，这些解决方案利用尖端技术来为客户的各类应用提供服务，帮助他们不断提高业绩。我们用Transphorm的GaN技术来设计产品已超过六年。迄今为止，我们在效率和可靠性上不断提升，并打造出TET系列电源，以无与伦比的解决方案超出客户的期望。在数据中心领域，我们正在掀起一场革命，而Transphorm正是这背后不可或缺的重要力量。”
基于GaN的TET系列产品
Transphorm的GaN技术已在多个TET系列中应用，包括Bel的钛金级效率前端交流转直流电源系列，具体如下：
|
系列 |
功率（千瓦） |
输入电压（交流电压） |
功率密度（瓦/立方英寸） |
外形尺寸（毫米） |
|
TET1500 |
1.5 |
100 – 277 |
35 |
54.5 x 40.0 x 321.5 |
|
TET2000 |
2 |
90 – 264 |
48.5 |
86 x 40.0 x 195 |
|
TET2200 |
2.2 |
90 – 264 |
53.1 |
86.3 x 39.3 x 196.5 |
|
TET2500 |
2.5 |
90 – 264 |
62 |
86 x 40.0 x 195 |
|
TET3000 |
3 |
90 – 300 |
31.7 |
69 x 40.5 x 555 |
|
TET3200 |
3.2 |
90 – 300 |
33.9 |
555 x 69 x 40.5 |
Transphorm全球技术营销与北美销售副总裁Philip Zuk表示：“过去几年里，高压GaN对众多行业产生了积极影响。数据中心市场将是下一个目标。事实证明，Transphorm在各类应用中的功率技术指标达到10 kW以上。随着每代产品的陆续推出，我们的设备成本不断降低，已经越来越接近硅的水平。而在质量和可靠性方面，我们同样树立了行业标杆。我们在该领域已具备无可比拟的优势，让我们的GaN器件成为数据中心解决方案的理想选择。”
关于Bel
Bel (www.belfuse.com)致力于设计、制造和营销各类用于电子电路供电、保护和连接的产品。这些产品主要用于网络、电信、计算机、军事、航空、运输和广播等行业。Bel的产品组合包括磁性解决方案（一体化连接器模块、电源变压器、功率电感器和分立元件）、电源解决方案和保护（前端、板载和工业电源产品、模块产品和电路保护）以及连接解决方案（线束光纤扩展件，铜基、RF和RJ连接器，以及电缆组件）。公司旗下工厂遍布世界各地。
关于Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1,000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压GaN半导体器件。得益于垂直整合的业务模式，公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新正在使电力电子设备突破硅的局限性，以使效率超过99%、将功率密度提高40%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。如需了解更多信息，请访问https://www.transphormchina.com/。在Twitter @transphormusa和微信@ Transphorm关注我们。
原文版本可在businesswire.com上查阅：https://www.businesswire.com/news/home/20210119005398/en/。
