作者：张国斌
据彭博新闻周四援引消息人士的说法报导，中国国务院副总理刘鹤将主持第三代半导体发展的推进工作，并负责制定相关的政策支持。刘鹤还将监督那些可能给传统半导体产业带来潜在颠覆性技术的项目。这是本土半导体产业的重磅利好！
据彭博报导，根据这项技术提案，政府已经提列了约1万亿美元资金，其中部分资金将用于中央和地方政府共同投资的一系列第三代芯片项目，看来，本土半导体大发展的时候真的到了，重金之下，那些卡脖子的问题应该可以得到解决！
美国总统拜登上台以后，推出了500亿美元的半导体激励计划，5月11日 ，包括美国、欧洲、日本、韩国、中国台湾地区等地的64家企业宣布成立美国半导体联盟（Semiconductors in America Coalition，SIAC）。这些企业几乎覆盖整个半导体产业链，而他们组织在一起的第一件事，就是敦促美国国会通过拜登政府提出的500亿美元半导体激励计划。
目前，SIAC有64家成员，包括亚马逊、苹果、AT&T、思科、通用电气、谷歌、威瑞森等科技巨头，AMD、亚德诺半导体、博通、英伟达、高通等芯片设计公司，格芯、IBM、英特尔、镁光等芯片制造商，以及应用材料、楷登电子、新思科技等半导体上游IP、电子设计自动化（EDA）软件和设备供应商等等。以及一些授权分销商例如艾睿、安富利等，值得注意的是，SIAC成员中还包括不少日韩、欧洲、中国台湾等地的半导体公司。例如，芯片制造商台积电、三星、SK海力士、英飞凌，设备厂商尼康、阿斯麦，东京电子，芯片IP巨头ARM等。
这个联盟将中国公司排除在外，就是想打造一个中国公司参与的半导体产业链，SAIC首页写着：“美国半导体联盟（SIAC）是一个由制造和使用半导体的公司组成的跨行业联盟。其使命是通过推动美国的半导体制造和研究，帮助支持美国的经济、关键基础设施和国家安全。”
所以拜登是想利用美元集合全球的半导体顶尖力量，加强美国的经济和关键基础设施。
我们再看看美国政府对中国领先公司的打压，经过美国疯狂的两年打压，华为手机芯片份额跌出全球前5 ，海思设计的高端芯片没有晶圆厂敢制造，尽管如此，华为表示华为并不打算放弃海思半导体，7000多人的团队依然在研发高端芯片。对别的公司来说，维持一支7000多人的半导体部门，短时间内没法带来营收是不可接受的，但华为高管日前在采访中表示，他们是私营公司，不受外部势力影响，不会放弃海思。
海思成立于2004年，前身是华为的芯片设计部门，最近几年为华为开发了先进的手机处理器，被认为是全球最先进的芯片设计公司之一。由于被制裁，华为海思的芯片已经没有公司可以生产，Q1季度的营收额只有3.85亿美元，比去年同期下滑了87%。不过华为高管在采访中表示海思还会继续开发半导体芯片，5月份消息称，华为的海思部门还在设计、研发3nm芯片，最终命名可能是麒麟9010。
另外美国还把400多家中国领先公司和研究机构纳入其实体名单进行打压，近日拜登政府还扩大了禁止美国投资的中国企业名单，详见《拜登为何扩大禁止美国投资的中企黑名单？》。
面对美国不断加码的锁套，中国政府不可能无动于衷，近日，国家科技体制改革和创新体系建设领导小组第十八次会议在北京召开。中共中央政治局委员、国务院副总理、国家科技体制改革和创新体系建设领导小组组长刘鹤主持会议并讲话。此次会议还专题讨论了面向后摩尔时代的集成电路潜在颠覆性技术。
这次会议之后，路透社报道了上述消息，如果这个信息属实，那这标志着中美在半导体的领域的对抗升级，与美国拉拢其他国家半导体公司为自己服务的区别是，中国将重金打造一条完全自主独立的半导体产业链！老张认为如果真有1万亿美元预留也不都是为第三代半导体，毕竟第三代半导体主要是一些宽禁带半导体器件和材料 ，只是整个半导体产业的一小部分，这些资金应该是为了打造整体半导体产业链而设。
目前，中国半导体产业大基金二期已经将重点转向了材料和设备领域，我们的IC设计产业去年营收接近4000亿，如果以目前的增速发展，到2025年，IC设计产业营收突破7000亿应该是可以实现的，现在的短板就是制造和材料，一旦中国实现独立的制造产业链和材料技术，则不用再担心美国的打压，而华为有可能满血复活。
近日，本土光刻机也有重大进展，中科院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室提出一种基于虚拟边（Virtual Edge）与双采样率像素化掩模图形（Mask pixelation with two-phase sampling）的快速光学邻近效应修正技术（Optical proximity correction, OPC）。仿真结果表明，该技术具有较高的修正效率。
光刻是极大规模集成电路制造的关键技术之一，光刻分辨率决定集成电路的特征尺寸。随着集成电路图形的特征尺寸不断减小，光刻系统的衍射受限属性导致明显的光学邻近效应，降低了光刻成像质量。在光刻机软硬件不变的情况下，采用数学模型和软件算法对照明模式、掩模图形与工艺参数等进行优化，可有效提高光刻分辨率、增大工艺窗口，此类技术即计算光刻技术（Computational Lithography），被认为是推动集成电路芯片按照摩尔定律继续发展的新动力。
近两年来，随着中国加紧补齐半导产业链短板，业内人士乐观估计今年年内本土28nm工艺可以实现自主制造，而两年后我们可以实现14nm工艺自主制造，基本上可以满足70% IC的制造问题。随着中国政府加大对半导体产业链的支持，我相信，卡脖子的问题会缓解甚至彻底解决！大家说呢？
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