SK 海力士在 2021 年 2 季度财报中证实，该公司将与未来几个月内开始量产 DDR5 内存颗粒。除了英特尔与 AMD 的多个下一代消费级平台引入对 DDR5 内存的支持，服务器平台也将迎来 DRAM 存储密度的进一步提升。
（来自：SK Hynix）
在 SK 海力士量产 DDR5 内存颗粒的同时，其合作伙伴也将于未来几个月内陆续发布首批 DDR5 内存模组。
值得一提的是，该公司将开始用极紫外光刻（EUV）技术来量产 1a nm 的 DRAM 内存颗粒，并专注于打造 64GB 以上的大容量服务器内存模组。
与 DDR4 内存相比，DDR5 将带宽轻松提升了一倍以上。回想从 DDR3 到 DDR4 的 2013 年，初期的内存带宽仅增加了 33%（1600 MHz 到 2133 MHz）。
随着 DDR5 量产时代的开启，SK 海力士希望将每个 DIMM 的带宽增加 50% 以上（目前普遍可达到 4800 MT/s）。在提升性能和容量的同时，还兼顾了能效与成本效益。
展望未来，其它内存制造商还致力于将 DDR5 内存模组的频率推升至 10000 MHz 以上。预计 2021 年内，我们就可看到 32 / 64 / 128GB 的单条容量，且速度在 4800 到 5600 MT/s 之间。
此前，美光的 DDR5 DRAM 颗粒已被英睿达、海盗船、金士顿、影驰、十铨、朗科、金邦、ZADAK、XPG、阿斯加特等内存模组制造商所采用。十铨曾表示，在液氮冷却的情况下，DDR5 内存电压还可提升至 2.6V 。
先前泄露的基准测试表明，DDR5 内存预计将带来较 DDR4 翻倍的性能提升。鉴于 DDR4 内存已经被人超频到了 7GHz 以上，我们对于 DDR5 时代的 10GHz 战绩也充满了期待。
来源：cnBeta.COM
