今日，三星宣布已开始量产基于极紫外光（EUV）技术的14纳米（nm）DRAM。继去年3月三星推出首款EUV DRAM后，又将EUV层数增加至5层，为其DDR5解决方案提供当下更为优质、先进的DRAM工艺。
“通过开拓关键的图案（key patterning）技术，三星活跃全球DRAM市场近三十年。”三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术主管Jooyoung Lee表示，“如今，三星正通过多层EUV技术，树立了一座新的技术里程碑，实现了更加微型化的14纳米工艺，而这也是传统氟化氩（ArF）工艺无法做到的。在此基础上，三星将继续提供极具差异化的内存解决方案，充分满足5G、人工智能和元宇宙等数据驱动的时代对更高性能和更大容量的需求。”
随着DRAM工艺不断缩小至10纳米范围，EUV技术变得越来越重要，因为它能提升图案准确性，从而获得更高性能和更大产量。通过在14纳米DRAM中应用5个EUV层，三星实现了自身最高的单位容量，同时，整体晶圆生产率提升了约20%。此外，与上一代DRAM工艺相比，14纳米工艺可帮助降低近20%的功耗。
根据最新DDR5标准，三星的14纳米DRAM将有助于释放出之前产品所未有的速度：高达7.2Gbps，比DDR4的3.2Gbps快两倍多。
三星计划扩展其14纳米DDR5产品组合，以支持数据中心、超级计算机和企业服务器应用。另外，三星预计将其14纳米DRAM芯片容量提升至24Gb，以更好满足全球IT系统快速增长的数据需求。
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稿源：美通社
