东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出最新一代[1]用于工业设备的碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBDs）——“TRSxxx65H系列”。首批12款产品（均为650V）中有7款产品采用TO-220-2L封装，其余5款采用DFN8×8封装，于今日开始支持批量出货。
新产品在第3代SiC SBD芯片中使用了一种新金属，优化了第2代产品的结势垒肖特基（JBS）结构[2]。它们实现业界领先[3]的1.2V（典型值）低正向电压，比上一代的1.45V（典型值）低17%。此外，新产品还在正向电压与总电容电荷之间以及正向电压与反向电流之间取得了平衡，从而在降低了功耗的同时提高了设备效率。
应用
- 开关电源
- 电动汽车充电桩
- 光伏逆变器
特性
- 业界领先[3]的低正向电压：VF＝1.2V（典型值）（IF＝IF(DC)）
- 低反向电流：TRS6E65H IR＝1.1μA（典型值）（VR＝650V）
- 低总电容电荷：TRS6E65H QC＝17nC（典型值）（VR＝400V，f＝1MHz）
主要规格
（除非另有说明，Ta＝25℃）
产品型号 | 封装 | 绝对最大额定值 | 电气特性 | 库存查询与购买 | |||||||
重复峰值反向电压VRRM（V） | 正向DC电流 IF(DC)（A） | 非重复峰值正向浪涌电流IFSM（A） | 正向电压（脉冲测试）VF（V） | 反向电流 （脉冲测试）IR（μA） | 总电容 Ct（pF） | 总电容电荷QC（nC） | |||||
温度条件Tc（℃） | f＝50Hz（半正弦 波，t＝10ms）， Tc=25℃ | 方波，t＝10μs，Tc＝25℃ | IF＝IF(DC) | VR＝650V | VR＝400V，f＝1MHz | ||||||
典型值 | 典型值 | 典型值 | 典型值 | ||||||||
TO-220-2L | 650 | 2 | 164 | 19 | 120 | 1.2 | 0.2 | 10 | 6.5 | ||
3 | 161 | 28 | 170 | 0.4 | 14 | 9 | |||||
4 | 158 | 36 | 230 | 0.6 | 17 | 12 | |||||
6 | 153 | 41 | 310 | 1.1 | 24 | 17 | |||||
8 | 149 | 56 | 410 | 1.5 | 31 | 22 | |||||
10 | 148 | 62 | 510 | 2.0 | 38 | 27 | |||||
12 | 148 | 74 | 640 | 2.4 | 46 | 33 | |||||
DFN8×8 | 4 | 155 | 28 | 230 | 0.6 | 17 | 12 | ||||
6 | 151 | 41 | 310 | 1.1 | 24 | 17 | |||||
8 | 148 | 45 | 410 | 1.5 | 31 | 22 | |||||
10 | 145 | 54 | 510 | 2.0 | 38 | 27 | |||||
12 | 142 | 60 | 640 | 2.4 | 46 | 33 | |||||
注：
[1] 截至2023年7月。
[2] JBS结构可降低肖特基界面处的电场，从而减小了漏电流。
[3] 截至2023年7月的东芝调查。
如需了解有关新产品的更多信息，请访问以下网址：
TRS2E65H
TRS3E65H
TRS4E65H
TRS6E65H
TRS8E65H
TRS10E65H
TRS12E65H
TRS4V65H
TRS6V65H
TRS8V65H
TRS10V65H
TRS12V65H
如需了解东芝碳化硅肖特基势垒二极管的更多信息，请访问以下网址：
SiC肖特基势垒二极管
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TRS2E65H
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TRS3E65H
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TRS4E65H
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TRS6E65H
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TRS8E65H
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TRS10E65H
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TRS12E65H
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TRS4V65H
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TRS6V65H
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TRS8V65H
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TRS10V65H
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TRS12V65H
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关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。
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