利普思推出全新62mm封装SiC模块产品组合，性能达到业内一流水平。模块采用工业领域大量应用的62mm模块半桥型拓扑设计，使用高品质的成熟芯片，其耐压高、功率密度出众、短路耐量高、温度系数在1.4倍，优于行业水平。62mm封装SiC模块包含1200V和1700V耐压规格，满足大功率应用需求，特别适用于电网、轨交、储能、大电源等应用。
得益于采用业内领先的芯片方案，并运用了低热阻和低杂散封装技术，以及Si3N4 AMB低热阻基板的使用，使得利普思62mm封装SiC产品在功率密度、短路耐流、热阻等能力方面发挥出色，特别是在高结温的工况下，模块导通损耗和开关损耗指标显著优于行业水准。
如上图所示，在客户实际测试和应用中，对比市场主流产品62mm封装SiC模块，在同等Rg条件下，利普思模块在导通、关断、反向恢复等损耗均表现更好，且可以实现更快的开关速度，这一特性为客户的应用和驱动参数的设置上带来了更灵活的选择。
62mm SiC模块 技术优势
耐压1200V 1700V可选
出众的电流输出能力
温度系数指标优于行业水准
低损耗，短路耐流能力优异
Si3N4，低热阻
目前利普思62mm封装SiC模块已经进行上机测试并获得订单，涉及应用包括电网变流器和轨道交通车辆辅助逆变器，下游客户包括国内电网及海外轨道交通企业客户。
利普思一直专注SiC模块以及大功率IGBT模块的研发生产，今年利普思将加大对SiC模块的研发投入，包括2200V碳化硅模块在内的一系列新产品预计也将很快投入市场。
62mm SiC模块 应用领域
智能电网
轨道交通
储能、充电
大功率电源
来源：利普思半导体
