贸泽开售适合能量转换应用的新型英飞凌CoolSiC G2 MOSFET

贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司CoolSiC™ G2 MOSFET。CoolSiC™ G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术,开启了电力系统和能量转换的新篇章,适用于光伏逆变器、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动应用。

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贸泽供货的英飞凌CoolSiC™ G2 MOSFET可在所有常见电源方案组合(AC-DC、DC-DC和DC-AC)中树立高质量标杆,并进一步利用英飞凌独特的XT互联技术来提高半导体芯片的性能和散热能力(例如采用TO-263-7、TO-247-4分立封装的型号)。CoolSiC™ G2 MOSFET 650V1200V在不影响质量和可靠性的前提下,将MOSFET的关键性能(例如存储能量和电荷)提高了20%,不仅提升了整体能效,还进一步推动了低碳化进程。G2的散热能力提高了12%,并将CoolSiC™的SiC性能提升到了一个新的水平。其快速开关能力可在所有工作模式下将功率损耗降低5%到30%(取决于负载条件),具有出色的节能效果。 

CoolSiC™ G2的新一代SiC技术能够加速设计成本更加优化,且更加紧凑、可靠、高效的系统,从而节省能源并减少现场每瓦功率的二氧化碳排放量。 

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