为提高移动和汽车功率半导体性能提供了解决方案
韩国8英寸纯晶圆代工厂SK启方半导体(SK keyfoundry)今天宣布推出其第四代0.18微米BCD工艺，性能较之前的第三代提升了约20%。借此，SK启方半导体为提高移动和汽车功率半导体性能提供了解决方案。
SK启方半导体的第四代0.18微米BCD工艺提供高达40V的功率器件，并支持多种功率器件栅极输入电压，如3.3V、5V和18V，可应用于多种场景，例如服务器和笔记本电脑PMIC、DDR5内存PMIC、移动充电器、音频放大器和汽车栅极驱动器等，以满足客户需求。此外还提供MTP（可多次编程）/OTP（一次性编程）存储器、SRAM存储器等选项，帮助客户更好地进行产品设计。
SK启方半导体的第四代0.18微米BCD工艺符合汽车质量标准AEC-Q100 Grade 1，确保集成电路(IC)能在125℃的高温环境下稳定运行，适用于汽车功率半导体，厚IMD（金属间介质）选项使得汽车产品设计能够承受超过15,000V的电压。
凭借从第三代0.18微米BCD工艺中积攒的量产经验以及客户的高度信任，该公司期望第四代0.18微米BCD工艺能够帮助延长移动设备的电池寿命、通过减少发热实现稳定的性能，并通过提高汽车用功率半导体的能源效率来改善整体性能。
SK启方半导体首席执行官Derek D. Lee表示："我们很高兴能够为客户提供性能更好的全新第四代0.18微米BCD工艺。SK启方半导体将继续加强在功率半导体工艺技术方面的竞争力，并与客户紧密合作，将业务拓展到未来有望实现高速增长的各种应用领域，例如AI服务器PMIC、DDR5 PMIC、汽车栅极驱动IC等。"
关于SK启方半导体
SK启方半导体总部位于韩国，致力于为半导体公司提供专业的模拟和混合信号代工服务，范围涵盖消费、通信、计算，汽车和工业等各个行业。凭借广泛的技术组合和工艺节点，SK启方半导体具备足够的灵活性和能力来满足全球半导体公司不断变化的需求。更多相关信息，请访问https://www.skkeyfoundry.com。
稿源：美通社
