作者：电子创新网张国斌
9月25日，第十二届半导体设备与核心部件展示会（CSEAC 2024）在无锡太湖国际博览中心举办，在上午召开的高峰论坛环节，盛美半导体董事长王晖博士在演讲中怒批恶性竞争与无良设备翻新，强调只有尊重彼此的知识产权，才能有效防止低价内卷，鼓励创新成就中国创造。
“低价内卷是中国半导体健康发展面临的最大挑战之一，带来的低毛利无法支持设备企业持续研发投入不可能迭代升级现有技术及研发新技术，最终损害了芯片制造商的利益。价格内卷的弊病是没有足够毛利支持自我研发，只能把自己降维到“设备翻新公司”，但是设备翻新公司只是买一台旧设备，翻新该台设备，如果买了一台旧设备，翻新出N台设备，就是违反中国知识产权法这种非法“翻新”和“抄袭”绝不是创新，绝不能成就一家伟大的半导体设备公司！同时，侵权设备生产的芯片销往海外有被起诉的法律风险。”他在发言中指出，“如果“内卷”是“卷”新的差异化技术，满足下一代技术产品的技术挑战，潜心研发属于自己的核心专利技术，这是良性“内卷”，是值得鼓励的，享受在专利法保护下的20年高毛利时间，在中国市场验证及推广后，可以坦荡走向全球市场。盛美上海的产品是差异化创新产品，有足够的IP保护，如果有“翻新”盛美的产品，我们一定拿起法律的武器，绝不姑息。”
他强调只有尊重彼此的知识产权，才能有效防止低价内卷，鼓励创新成就中国创造。“纵观半导体发展历史，能排在TOP5 或者TOP10的公司，没加都是靠都靠自己的研发成长，而而不是靠翻新别人设备做大做强！”他指出，“我们公司有18个律师，每天都在工程师身边，如果工程师有什么新发明都要看一看没有侵权，是否是自己的发明。我认为AI的出现驱使了又一波半导体技术革命，中间会隐藏很多机会，中国的半导体设备厂商应该抓住这个机会，在核心技术上要做差异化创新。”
在演讲中，他指出，从全球半导体产业区域转移发展历程来看，未来10年，中国将成为全球半导体芯片制造的中心，而由于半导体制造技术日趋成熟，在这波兴起的中国芯片制造潮流中，只有尊重知识产权，拥有差异化创新能力的公司才有可能成为全球半导体设备市场上升起的中国明星。
他以ASML、应用材料以及泛林的发展来说明创新的重要性，例如ASML曾经实力不如佳能和尼康，但在技术发展的关键时期，ASML能对关键技术进行潜心研究，如1995年它成功研制双工作台、浸没式TWINSCANXT、TWINSCANNXT系列，一举奠定光刻机领域的霸主地位，而研发EUV光刻机耗时20多年。
他指出，从数据看，从2008到2023年中国大陆地区国产半导体设备销售呈现高速发展势态，而且国产化在加速，根据中国国际招标网数据统计，2023年半导体国产设备中标国产率达到46.4%。当前下游晶圆制造厂商也倾向于更多地采用国产半导体设备，半导体设备国产化加速。
王晖表示目前有三种创新模式分别是原始创新、集成创新和消化创新，他认为国产设备公司要靠原始创新在全球赢得一席之地。他认为中国已经从早期的“消化创新”到如今的“集成创新”，而中国的科技如果进入发达国家的行列，核心点是“原始创新”。
据介绍，盛美上海主要产品包括单晶圆及槽式湿法清洗设备、电镀设备、无应力抛光设备、前道涂胶显影设备及PECVD设备等。目前，公司产品基本销往了国内所有先进封装企业，同时，盛美上海也在推动其先进封装湿法设备进入国际市场
据盛美上海发布的2023年财报显示，该年度营业收入38.88亿元，同比增长35.34%；归母净利润9.11亿元，盛美上海表示，受益于国内半导体行业设备需求持续增长，公司仍将呈现向好的发展态势。
王晖表示在先进技术节点里，随着“致命缺陷”(会影响产品量率的缺陷)不断的缩小，硅片清洗也变的越来越具有挑战性，他还介绍了盛美的几个核心技术，例如盛美的空间交变相移(SAPS)兆声波清洗技术。
据他介绍，盛美自主研发的 SAPS 兆声波技术采用扇形兆声波发生器，通过精确匹配晶圆旋转速度、液膜厚度、兆声波发生器的位置、交变位移及能量等关键工艺参数，通过在工艺中控制兆声波发生器和晶圆之间的半波长范围的相对运动，使晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆声波能量都相同，从而很好的控制了兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。解决了在先进技术节点里“致命缺陷”尺寸不断缩小、硅片清洗困难的问题。
他还透露盛美公司超临界CO2干燥技术属于世界首创，该设备将具体用于DRAM18nm及以下工艺节点STI/SNlayer的干燥。
他还是指出盛美还有个世界首创技术，就是Ultra cTahoe(单片+槽式，可覆盖25%清洗工艺）据他介绍，盛美Ultra C Tahoe (单片+槽式），综合槽式清洗机与单片清洗机的工艺优势和成本优势，减少高温硫酸使用量，降低硫酸成本50%至80%以上，大幅减少芯片厂废液处理量，减少工艺步骤，提高工艺性能，缩短产品生产周期。
他还介绍了公司的清洗系列新产品--高高温硫酸SPM清洗设备及SPM防反溅技术，该技术有如下特点:使用高温硫酸(H2S04)和过氧化氢(H202)的混合液SPM进行晶圆表面的光刻胶剥离、聚合物清洗、颗粒和金属离子清洗、金属合金去除等湿法工艺。
技术优势:多级加热系统控制方式，兼容SPM高、中、低不同温区工艺需求自主IP设计的喷嘴技术，可解决不同浓度配比下的药液气泡难题，优化的工艺腔体气流控制技术，提高了气流置换效率50%以上。
他还介绍了公司ALD、Track和PECVD的一些特点。
在与AI结合方面，他表示盛美基于现有核心技术的AI制造用新产品延伸有面板级先进封装电镀产品、面板级先进封装电镀边缘湿法刻蚀设备以及面板级先进封装负压清洗设备等。面板级先进封装负压清洗设备能够清洗更小的凸点间距(s20um)和 SOH 20um(s20um)，适用于 Die数量多，尺寸多样的整合芯片，真空条件下，效率高。
对于未来发展，他表示盛美会加速国际化，未来收入将达到200亿。成长为国际级半导设备厂商。
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