芯合半导体参与制定的《SiC MOSFET 阈值电压测试方法》等9项标准正式发布
11月19日，由芯合半导体参与制定的《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)阈值电压测试方法》等9项SiC MOSFET测试与可靠性标准正式发布。
11月19日，由芯合半导体参与制定的《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)阈值电压测试方法》等9项SiC MOSFET测试与可靠性标准正式发布。