英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET,以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET,以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,开启功率系统和能量转换的新篇章。
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出全新车规级PSoC™ 4100S Max系列。
在竞争激烈的全球半导体市场,制造商一直在努力缩短产品上市时间。同时,他们对流畅、高分辨率图形显示器的需求也在日益增长。为了满足这些市场需求,英飞凌科技股份公司宣布与科尤特(Qt Group)展开战略合作。
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)的新型CoolSiC™混合分立器件采用 TRENCHSTOP™ 5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管。
人工智能(AI)正推动全球数据生成量成倍增长,促使支持这一数据增长的芯片对能源的需求日益增加。英飞凌科技股份公司近日推出TDM2254xD系列双相功率模块,为AI数据中心提供更佳的功率密度、质量和总体成本(TCO)。
为实现有雄心的增长目标,英飞凌科技股份公司正进一步强化其销售组织。自3月1日起,英飞凌的销售团队将围绕三个以客户为中心的业务领域进行组织和重建:“汽车业务”、“工业与基础设施业务”以及“消费、计算与通讯业务”。
为了便于将Matter标准和安全功能集成到智能家居与智能建筑设备中,英飞凌科技股份公司推出OPTIGA™ Trust M MTR。这款Matter认证的半导体安全元件连同Matter配置服务已成为英飞凌OPTIGA Trust M的最新标配。