EUV光刻机

按照业内预判，2025年前后半导体在微缩层面将进入埃米尺度（Å，angstrom，1埃 = 0.1纳米），其中2025对应A14（14Å=1.4纳米）。

在半导体工艺进入10nm节点之后，EUV工艺是少不了的，但是EUV光刻机价格高达10亿一台，而且产量有限，导致芯片生产成本很高。日本铠侠公司现在联合伙伴开发了新的工艺，可以不使用EUV光刻机，工艺直达5nm。

9月2日消息，荷兰阿斯麦的新一代极紫外（EUV）光刻机每台有公共汽车大小，造价1.5亿美元。其前所未有的精度可以让芯片上的元件尺寸在未来几年继续缩小。

11月14日——据TOMSHARDWARE报道，台积电表示其部署的极紫外光(EUV)光刻工具已占全球安装和运行总量的50%左右，这意味着其使用的EUV机器数量超过了业内其他任何一家公司。为了保持领先，台积电已经下单订购了至少13台ASML的Twinscan NXE EUV光刻机，将会在2021年全年交付，不过具体的交付和安装时间表尚不清楚。

10月14日，荷兰ASML（阿斯麦）公布了光刻机产品的最新进展。其中TWINSCAN NXE:3600D作为其目前研发中的最先进光刻机系统，终于敲定最终规格。具体来说，30mJ/cm2的曝光速度达到每小时曝光160片晶圆，提高了18%的生产率，并改进机器匹配套准精度至1.1nm。