OptiMOS

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品系列，使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。

英飞凌科技股份公司近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm²封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。

英飞凌科技股份公司推出 OptiMOS™ 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET，OptiMOS™ 7 40V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了 300 毫米薄晶圆技术和创新的封装，相比于其它采用微型封装的器件，具有显著的性能优势。

高功率密度、出色的性能和易用性是当前电源系统设计的关键要求。为此，英飞凌科技股份公司推出了新一代OptiMOS™ 源极底置（Source-Down，简称SD）功率MOSFET，为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。

【2020年11月3日，德国慕尼黑讯】当代的电源系统设计需要高功率密度等级和精巧的外型尺寸，以期得到最高的系统级性能。英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）通过专注于强化元器件产品达到系统创新，来应对这一挑战。继2 月份推出 25 V 装置后，英飞凌又推出了 OptiMOS™ 40 V 低电压功率 MOSFET，采用源极底置 (SD, Source-Down) PQFN 封装，尺寸为 3.3mm x 3.3 mm。