Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件， 助力计算、人工智能、能源和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能
新推出器件是业界首款采用顶部散热的 TOLT 氮化镓晶体管，扩展Transphorm多样化的产品封装组合
Transphorm
Transphorm和Allegro MicroSystems联手，提高GaN功率系统在高功率应用中的性能
专用隔离式栅极驱动器推动数据中心、可再生能源和电动汽车领域快速采用先进的GaN半导体
Transphorm推出TOLL封装FET，将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件
三款新器件为SMD的高功率系统带来了SuperGaN的常闭型(Normally-Off D-Mode)平台优势，此类高功率系统需要在高功率密度的情况下实现更高的可靠性和性能，并产生较低的热量
Transphorm 最新技术白皮书： 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比
氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明了如何利用其Normally-Off D-Mode平台设计充分发挥氮化镓晶体管的优势，而E-Mode设计却必须在性能上做出妥协
Transphorm氮化镓器件助力DAH Solar(大恒能源)全球首个全集成化微型逆变器光伏系统
使用更为先进的 Transphorm氮化镓器件，使突破性的太阳能电池板系统外形更小、更轻，且拥有更高的性能和效率。
Transphorm公司的TOLL FET将GaN定位为适用于耗电型AI应用的最佳器件
三种新器件为基于SMD的高功率系统带来了SuperGaN的常关D模式平台优势，该系统要求在紧凑的占地面积内以较低的热阻获得更高的可靠性及性能
Transphorm氮化镓器件率先达到对电机驱动应用至关重要的抗短路稳健性里程碑
与安川电机公司合作取得的这项成果，充分利用了 Transphorm 常关型平台的基本优势。
Transphorm的GaN为DAH Solar Co., Ltd.的全球首个集成微型逆变器光伏系统提供动力
开创性的太阳能电池板系统通过使用Transphorm极其先进的GaN设备，以更小、更轻的外形尺寸提供更高的性能和效率
Transphorm的GaN首次达到对电机驱动应用至关重要的短路稳健性里程碑
Capability与Yaskawa Electric Corporation合作，充分发挥Transphorm常关平台的根本优势
Transphorm推出SuperGaN FET 的低成本驱动器解决方案
Transphorm FET 使用简单的半桥栅极驱动器实现了高达 99% 的效率，验证了在超过 1 kW 的宽功率范围内具有成本效益的设计方案