奥趋光电成功制备出高质量3英寸氮化铝单晶
奥趋光电于近期成功实现了氮化铝（AlN）晶体从2英寸到3英寸的迭代扩径生长（见图一），制备出了直径达76 mm的铝极性AlN单晶锭及3英寸衬底样片（见图二）。
氮化铝
【技术分享】氮化铝基大功率混合电路厚膜材料
40多年来，设计和制造传统混合电路的首选基板一直是氧化铝。它提供了正确电路操作所需的机械强度、电阻率和热性能。然而，在过去几年中，我们经历了混合技术向具有高度复杂、密集电路配置的电子设备的转变，
奥趋光电于近期成功实现了氮化铝（AlN）晶体从2英寸到3英寸的迭代扩径生长（见图一），制备出了直径达76 mm的铝极性AlN单晶锭及3英寸衬底样片（见图二）。