宜普电源转换公司(EPC)在美国国际贸易委员会起诉竞争对手英诺赛科,要求保护新兴氮化镓(GaN)技术专利
案例聚焦新一代替代硅技术
英诺赛科是全球领先的第三代半导体高新技术企业,致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地,当前产能15000片/月,产品设计及性能处于国际先进水平。英诺赛科提供从30V-700V的高、中、低压全功率氮化镓产品,涵盖晶圆、分立器件、合封芯片三大品类,并为客户提供全氮化镓方案设计参考。自2015年成立至今,英诺赛科已获专利700多项,累计出货量突破5亿颗。产品可广泛应用于消费电子、数据中心、汽车电子及新能源等前沿领域。
案例聚焦新一代替代硅技术
在刚刚结束的“2021(春季)USB PD&Type-C亚洲展”上,英诺赛科副总经理陈钰林先生为大家带来了《Inno GaN 引领“芯”未来》主题演讲,并发布了英诺赛科的2021年度重点产品:33W氮化镓快充。