东芝

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的^[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。

表面贴装型小型封装有助于减小表贴面积和电机驱动电路板的尺寸

东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGL^TM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。

Toshiba Materials Co., Ltd. 今天宣布对新生产设施进行重大投资，这将显著提高氮化硅球的产能。该工厂将建在该公司位于日本九州北部的大分厂区(Oita Operations)，项目总投资70亿日元（约合5000万美元），预计将于2026年1月投产。

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出最新一代^[1]用于工业设备的碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBDs）——“TRSxxx65H系列”。

采用最新一代工艺，可提供低导通电阻和扩展的安全工作区

配备1MB代码闪存，支持无需中断微控制器运行的固件升级

东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，面向消费类产品和工业设备推出电机驱动IC“TB67S581FNG”、“TB67S580FNG”、“TB67H481FNG”和“TB67H480FNG”，其需要的外部部件数量不仅有所减少，而且还采用了极为通用且节省空间的小型封装。

东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，推出采用最新一代工艺制造的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。