瑞萨电子开发嵌入式 STT-MRAM 写入技术，显着降低物联网应用中 MCU 的功耗 winniewei -- 周四, 12/16/2021 - 09:26 在 IEDM 2021 上宣布：确认在 16 nm FinFET 逻辑工艺嵌入式 STT-MRAM 测试芯片上降低功耗并提高写入操作速度
