东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性，有助于提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。
MOSFET
Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET)，管脚尺寸缩小60%
RDS(on)额外降低40%，功率密度提高58倍，适合电信和热插拔计算应用
车规MOSFET技术确保功率开关管的可靠性和强电流处理能力
如今，出行生态系统不断地给汽车设计带来新的挑战，特别是在电子解决方案的尺寸、安全性和可靠性方面提出新的要求。此外，随着汽车电控制单元 (ECU) 增加互联和云计算功能，必须开发新的解决方案来应对这些技术挑战。
ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET
非常有助于提高无线耳机和可穿戴设备等小而薄设备的效率和运行安全性！
贸泽电子开售各种面向电源转换应用的英飞凌通用MOSFET
贸泽电子(Mouser Electronics) 提供英飞凌的各种通用MOSFET。英飞凌丰富多样的高压和低压MOSFET产品组合为各种应用提供灵活性、适应性和高价值，可帮助设计师满足项目、价格或物流要求。
通过转向1700V SiC MOSFET，无需考虑功率转换中的权衡问题
高压功率系统设计人员努力满足硅MOSFET和IGBT用户对持续创新的需求。基于硅的解决方案在效率和可靠性方面通常无法兼得，也不能满足如今在尺寸、重量和成本方面极具挑战性的要求。
Nexperia推出用于热插拔的全新特定型应用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍
全面优化12V热插拔和软启动应用中控制浪涌电流的RDS(on)和SOA
安森美推出采用创新Top Cool封装的MOSFET
顶部冷却简化设计并降低成本，实现小巧紧凑的电源方案
电源系统设计优化秘技：单片驱动器+MOSFET(DrMOS)
现阶段，多核架构使微处理器在水平尺度上变得更密集、更快速，令这些器件所需功率急剧增加，直接导致向微处理器供电的稳压器模块(VRM)的升级需求：
Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET
DFN0603封装提高性能并显著减少空间需求