从硅过渡到碳化硅，MOSFET的结构及性能优劣势对比
近年来，因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动，碳化硅功率器件取得了长足发展。
MOSFET
英飞凌推出全新的OptiMOS™源极底置功率MOSFET
高功率密度、出色的性能和易用性是当前电源系统设计的关键要求。为此，英飞凌科技股份公司推出了新一代OptiMOS™ 源极底置（Source-Down，简称SD）功率MOSFET，为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。
Vishay推出PowerPAK® 8x8L封装60 V和80 V N沟道MOSFET，优异的RDS(ON) 导通电阻低至0.65 m
小型器件采用无引线键合鸥翼引线结构，提高板级可靠性
意法半导体推出第三代碳化硅产品，推动电动汽车和工业应用未来发展
意法半导体推出第三代STPOWER碳化硅 (SiC) MOSFET晶体管，推进在电动汽车动力系统功率设备的前沿应用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性为重要目标的场景应用。
Diodes Incorporated 目标电动汽车产品应用推出高电流 TOLL MOSFETs
Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 为金属氧化物半导体场效晶体管 (MOSFET) 推出节省空间、高热效率的 TOLL (PowerDI®1012-8) 封装，能在 175°C、100 瓦等级的 DMTH10H1M7STLWQ及 DMTH10H2M5STLWQ 下运作
【技术大咖测试笔记系列】之八：低功率范围内的MOSFET表征
半导体行业一直在寻找新型特殊材料、介电解决方案和新型器件形状，以进一步、再进一步缩小器件尺寸。例如，2D材料的横向和纵向异质结构导致了新的颠覆性小型低功率电子器件的产生。
干货 | 650V 60mΩ SiC MOSFET高温性能测试对比，国产器件重载时温度更低
自特斯拉第一次采用ST 650V SiC MOSFET后，目前市场上CREE、UnitedSiC、罗姆、Infineon都有650V SiC MOSFET产品。国内厂商派恩杰半导体也推出了650V 60mΩSiC MOSFET。相较于国外厂商，国内厂商的SiC MOSFET产品性能到底如何？派恩杰半导体采用自主设计的Buck-Boost效率测试平台针对650V 60mΩSiC MOSFET高温性能进行了对比测试。本文分享测试结果。
采用最小封装提供更多设计灵活性：儒卓力提供英飞凌CIPOS™ Maxi SiC IPM IM828系列1200 V电源模块
英飞凌CIPOS™ Maxi SiC IPM 是一款基于MOSFET的55 mΩ三相CoolSiC™发射极开路智能电源模块，采用36x23D DIP封装。该模块具有优良导热性和高开关速率范围(高达80 Hz)，提供了功能齐全的紧凑型逆变器解决方案。
适用于热插拔的Nexperia新款特定应用MOSFET (ASFET)将SOA增加了166%，并将PCB占用空间减小80%
基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增强了SOA性能，适用于5G电信系统和48 V服务器环境中的热插拔与软启动应用以及需要e-fuse和电池保护的工业设备。
Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽车和工业应用实现更高功率密度
基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新型0.55 mΩ RDS(on) 40 V功率MOSFET，该器件采用高可靠性的LFPAK88封装，