Vishay推出先进的30 V N沟道MOSFET，进一步提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 推出多功能新型30 V n沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET---SiSS52DN，提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。
MOSFET
意法半导体发布隔离式栅极驱动器，可安全控制碳化硅MOSFET
STGAP2SiCS是意法半导体STGAP系列隔离式栅极驱动器的最新产品，可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET，工作电源电压高达1200V。
东芝发布采用TOLL封装的650V超级结功率MOSFET，有助于提高大电流设备效率
东芝电子元件及存储装置株式会社在其TOLL（TO-无引线）封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET：TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z。从今天开始批量出货。
东芝再扩产！新建300mm晶圆厂，用于生产MOSFET和IGBT
3月11日，东芝电子元件及存储装置株式会社将通过日本的Kaga Toshiba Electronics Corporation建设300mm晶圆制造厂，扩大功率器件的产能。新生产线的量产将于2023财年上半年开始。
东芝推出新款碳化硅MOSFET模块，有助于提升工业设备效率和小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，面向工业应用推出一款集成最新开发的双通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模块---“MG800FXF2YMS3”，该产品将于2021年5月投入量产。
Nexperia扩展LFPAK56D MOSFET产品系列，推出符合AEC-Q101标准的半桥封装产品
关键半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布推出一系列采用节省空间的LFPAK56D封装技术的半桥（高端和低端）汽车MOSFET。采用两个MOSFET的半桥配置是许多汽车应用（包括电机驱动器和DC/DC转换器）的标准构建模块。
Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供历经十亿个周期测试的可靠重复雪崩性能
半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia今天发布获得AEC-Q101认证的新重复雪崩专用FET (ASFET)产品组合，重点关注动力系统应用。
英飞凌OptiMOS™源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置
【2020年11月3日，德国慕尼黑讯】当代的电源系统设计需要高功率密度等级和精巧的外型尺寸，以期得到最高的系统级性能。英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）通过专注于强化元器件产品达到系统创新，来应对这一挑战。继2 月份推出 25 V 装置后，英飞凌又推出了 OptiMOS™ 40 V 低电压功率 MOSFET，采用源极底置 (SD, Source-Down) PQFN 封装，尺寸为 3.3mm x 3.3 mm。
Nexperia首次亮相第三届中国国际进口博览会
半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia将首次亮相于2020年11月5日至10日在上海举办的第三届中国国际进口博览会并将全方位介绍Nexperia如何运用逻辑IC、分立器件、MOSFET和GAN FET等创新器件推动全球各类电子设计的发展。
Diodes Incorporated 推出符合车用规范 3.3mm x 3.3mm 封装 40V 双 MOSFET
Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出符合车用规范的 3.3mm x 3.3mm 封装 40V 双 MOSFET。DMT47M2LDVQ 可以取代两个分立式 MOSFET，以减少众多汽车产品应用中电路板所占用的空间，包括电动座椅控制以及先进驾驶辅助系统 (ADAS) 等。